华灿光电(浙江)有限公司张威获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善热传导的发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210876242.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权改善热传导的发光二极管芯片及其制备方法是由张威;王江波设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善热传导的发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善热传导的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：外延层、第一绝缘层、金属支撑层、第二绝缘层和电极块；所述外延层、所述第一绝缘层和所述金属支撑层依次层叠，所述第二绝缘层位于所述金属支撑层上，所述电极块位于所述第二绝缘层上，且通过过孔与所述外延层相连，所述电极块与所述金属支撑层绝缘。本公开实施例能改善芯片的热传导性能。
本发明授权改善热传导的发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括：外延层20、第一绝缘层31、金属支撑层40、第二绝缘层32、电极块50和第二电流传导层62； 所述外延层20、所述第一绝缘层31和所述金属支撑层40依次层叠，所述第二绝缘层32位于所述金属支撑层40上，所述电极块50位于所述第二绝缘层32上，且通过过孔与所述外延层20相连，所述电极块50与所述金属支撑层40绝缘； 所述第二电流传导层62位于所述外延层20的表面上，所述第二电流传导层62、所述金属支撑层40在所述外延层20表面的正投影至少部分重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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