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龙图腾网获悉北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司申请的专利一种W频段二维AIP微系统架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210862667.7，技术领域涉及：H01Q1/22；该发明授权一种W频段二维AIP微系统架构是由郑大农;刘德喜;祝大龙;赵明;李洪涛设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种W频段二维AIP微系统架构在说明书摘要公布了：本发明提供一种W频段二维相控阵AIP微系统架构，包括多层有机转接板，设置在多层转接有机板上的天线阵列，通过BGA植球与多层转接有机板相连的PCB基板，设置在PCB基板上的散热材料，设置在散热材料上的八通道发射波束形成芯片、八通道接收波速形成芯片和设置在PCB基板底侧的热沉；八通道发射波束形成芯片、八通道接收波速形成芯片和多层转接有机板通过微凸点封装键合。本发明提供的一种W频段二维AIP微系统产品，采用相控阵AIP微系统架构，将天线与收发芯片通过封装材料和工艺集成在一起，以此满足W波段二维相控阵微系统低成本、小型化、高集成度的应用需求。

本发明授权一种W频段二维AIP微系统架构在权利要求书中公布了：1.一种W频段二维相控阵AIP微系统架构，其特征在于：包括多层有机转接板4，设置在所述多层有机转接板4上的天线阵列3，通过BGA植球2与所述多层有机转接板4相连的PCB基板5，设置在所述PCB基板5上的散热材料8，设置在所述散热材料8上的八通道发射波束形成芯片6、八通道接收波束形成芯片7和设置在所述PCB基板5底侧的热沉9；所述八通道发射波束形成芯片6、所述八通道接收波束形成芯片7和所述多层有机转接板4通过微凸点1封装键合； 所述天线阵列3集成在所述多层有机转接板4上，通过所述多层有机转接板4与所述八通道发射波束形成芯片6和所述八通道接收波束形成芯片7集成为一体，供电、控制、射频均采用C4微凸点和BGA植球进行垂直互联； 所述W频段二维相控阵AIP微系统架构构成标准表面贴装器件，可以在所述PCB基板5上进行阵列拓展； 所述多层有机转接板4的金属信号层包括自上而下的多层微带贴片天线的寄生贴片层M1、多层微带贴片天线的辐射贴片层M2、第一接地层M3、供电与控制信号层M4、第二接地层M5和射频信号水平传输层M6； 所述天线阵列3包括设置在所述寄生贴片层M1上的寄生贴片天线单元10，设置在所述辐射贴片层M2上的辐射贴片单元11，与所述辐射贴片单元11一端垂直相连的垂直馈电结构12和设置在所述第一接地层M3与所述第二接地层M5上的接地单元13； 所述天线阵列3为采用多层微带贴片结构的接收与发射天线单元阵列，在所述多层有机转接板4表面的所述寄生贴片天线单元10构成寄生贴片天线单元阵列，通过所述多层有机转接板4内部的辐射贴片单元阵列进行射频信号耦合传输；所述辐射贴片单元11阵列与垂直馈电网络相连接，实现射频信号传输； 所述八通道发射波束形成芯片6和所述八通道接收波束形成芯片7均基于硅基COMS工艺，采用晶圆级芯片封装技术，完成芯片的表面电路分布和所述微凸点1布局制备，预备以Flip-chip装配工艺进行封装键合； 所述八通道发射波束形成芯片6接收W波段射频输入信号，对所述射频输入信号进行八分路功率均分，每一个通道射频信号可变增益放大、移相控制、功率放大输出；所述八通道接收波束形成芯片7接收八通道W波段射频信号输入，每一个通道对所述射频输入信号进行低噪放大、移相控制、可变增益放大，然后对八个通道射频信号功率均分和输出。

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