西安微电子技术研究所张旭杰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种用于SiO2研磨液残留物的监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210858147.9，技术领域涉及：H01L21/3105；该发明授权一种用于SiO2研磨液残留物的监控方法是由张旭杰;刘如征;王刚平;折宇;刘存生设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于SiO2研磨液残留物的监控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiO2研磨液残留物的监控方法，属于半导体制造工艺领域，首先将淀积特定厚度PETEOS膜层的硅片，研磨一定时间，并完成清洗工序，然后扫描缺陷。在初次扫描之后，在硅片表面再淀积一定厚度的PETEOS膜层作为放大层，研磨液残留物的尺寸就会被放大，能够被缺陷扫描仪准确检出。通过计算两次缺陷扫描结果的差值，准确判断研磨液残留情况，清洗方法使用PVA毛刷，通入特定浓度的氨水，对硅片进行刷洗，然后兆声清洗，之后使用加热去离子水冲洗，最终高速旋转甩干，完成清洗工序。与现有技术相比，提高了清洗能力，可以同时满足多种不同型号SiO2研磨液的清洗要求。
本发明授权一种用于SiO2研磨液残留物的监控方法在权利要求书中公布了：1.一种SiO2研磨液残留物的监控方法，其特征在于，包括： S1：在裸硅片4表面淀积第一层PETEOSSiO23膜层，并研磨； S2：对研磨后的硅片进行清洗； S3：对清洗后的硅片进行缺陷扫描，得到缺陷数A； S4：对扫描后的硅片表面再次淀积第二层PETEOSSiO21膜层； S5：将再次淀积了第二层PETEOSSiO21膜层的硅片进行二次缺陷扫描，得到缺陷数B，若B与A的差值不大于设定值，则视为监控合格，否则视为监控不合格。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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