珠海凯赛奥表面技术有限公司庞盼获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海凯赛奥表面技术有限公司申请的专利一种透明聚合物表面覆铜的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206809B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210852126.6，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种透明聚合物表面覆铜的工艺是由庞盼;程文雅;陈小曼设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种透明聚合物表面覆铜的工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种透明聚合物表面覆铜的工艺，包括：S01对透明聚合物进行表面等离子体清洗，S02对透明聚合物表面沉积多层氧化物，S03对透明聚合物表面进行等离子体刻蚀，S04对透明聚合物表面进行覆铜。本发明通过设计一种特殊的透明聚合物表面覆铜的工艺，并用该工艺制备的覆铜聚合物刻蚀的精细线路可完全解决在线宽线距窄的环境下产生枝晶的技术难题。
本发明授权一种透明聚合物表面覆铜的工艺在权利要求书中公布了：1.一种透明聚合物表面覆铜的工艺，其特征在于，所述工艺具体包括如下步骤： S01对透明聚合物进行表面等离子体清洗： 对透明聚合物表面依次进行潘宁源清洗和考夫曼源清洗，以实现氧的嵌入与氧的加成，备用； 所述考夫曼源清洗过程中电阻低于1016Ω； S02对透明聚合物表面沉积多层氧化物： 利用低能离子束技术对经S01处理后的透明聚合物表面先沉积一层氧化物，待沉积结束后停止氧气供给，沉积一层薄金属，并将氧化物层和薄金属层设定为一个单元周期，重复周期1-20次，以完成多层氧化物的沉积； 所述氧化物的沉积厚度为10-20nm，所述薄金属层的沉积厚度为1-5nm；且所述氧化物至少为氧化铝、氧化镁、氧化锆中的一种； 沉积束流为100-400mA，及沉积过程中温度为100-150℃，沉积速率为10-40nmmin，氧气流量为20-80sccm； S03对透明聚合物表面多层氧化物进行等离子体刻蚀： 利用等离子体技术对经S02处理后的透明聚合物表面氧化物进行等离子体刻蚀； S04对透明聚合物的氧化层表面覆铜： 利用低能离子束技术和电子束蒸发技术沉积极薄铜，即完成所述透明聚合物表面覆铜的工艺。
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