东南大学胡三明获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种基于耦合线的高隔离度开关芯片拓扑结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115149938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210767982.1，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种基于耦合线的高隔离度开关芯片拓扑结构是由胡三明;颜凡桓;沈一竹设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于耦合线的高隔离度开关芯片拓扑结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于耦合线的高隔离度片上开关拓扑结构，该结构包括主耦合线，第一副耦合线和第二副耦合线，辅助耦合线，匹配电容，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一偏置电压，第二偏置电压，射频输入端口，第一射频输出端口，第二射频输出端口。当第一偏置电压为低电平，第二偏置电压为高电平时，射频输入端口和第一射频输出端口之间导通，射频输入端口和第二射频输出端口之间关断。辅助耦合线在降低插入损耗的同时可以显著增强第一射频输出端口和第二射频输出端口之间的隔离度。本发明在缩小芯片面积的同时，解决了片上射频开关隔离度低的关键难题。
本发明授权一种基于耦合线的高隔离度开关芯片拓扑结构在权利要求书中公布了：1.一种基于耦合线的高隔离度片上开关拓扑结构，其特征在于，该结构包括输入模块，隔离增强模块以及输出模块；所述输入模块包括主耦合线M1和匹配电容C1；所述匹配电容C1一端分别与射频输入端口RFin和主耦合线M1一端连接，并且，匹配电容C1另一端接地，主耦合线M1另一端接地，输入模块与隔离增强模块和输出模块间通过耦合线形成互感； 所述隔离增强模块包括辅助耦合线A4，第三晶体管FET_3和第四晶体管FET_4，所述辅助耦合线A4的一端接地，所述辅助耦合线A4另一端接晶体管第三晶体管FET_3和第四晶体管FET_4的漏极，第三晶体管FET_3的栅极连接第三电阻RG_3到第二偏置电压VCC，第四晶体管FET_4的栅极连接第四电阻RG_4到第一偏置电压VDD；所述第三晶体管FET_3和第四晶体管FET_4的源极分别连接第一射频输出端口RFout1和第二射频输出端口RFout2。
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