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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善散热的发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274962B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210769283.0，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权改善散热的发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;张威设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善散热的发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善散热的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一电极和第二电极；所述发光结构包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽，所述第一电极位于所述凹槽内，所述第二电极包括间隔排布的多个子电极，多个所述子电极位于所述第二半导体层远离所述基板的一侧。本公开实施例能提升芯片的散热能力，改善芯片电气过应力下降的问题。

本发明授权改善散热的发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善散热的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括：基板（10）、发光结构（20）、第一电极（31）和第二电极（32）； 所述发光结构（20）包括依次层叠于所述基板（10）上的第一半导体层（21）、多量子阱层（22）和第二半导体层（23），所述第二半导体层（23）的表面具有露出所述第一半导体层（21）的凹槽（24），所述第一电极（31）位于所述凹槽（24）内，所述第二电极（32）包括间隔排布的多个子电极（321），多个所述子电极（321）位于所述第二半导体层（23）远离所述基板（10）的一侧； 所述发光二极管芯片还包括钝化层（40），所述钝化层（40）至少位于所述第二半导体层（23）、所述第一电极（31）、所述凹槽（24）和所述第二电极（32）上，所述钝化层（40）具有通孔（41）和多个凹孔（42），所述通孔（41）露出所述第一电极（31），多个所述凹孔（42）与多个所述子电极（321）一一对应； 所述凹孔（42）的底面到所述子电极（321）的距离与所述凹孔（42）至所述第一电极（31）的距离负相关，所述凹孔（42）内具有所述钝化层（40）。

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