上海类比半导体技术有限公司颜志豪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海类比半导体技术有限公司申请的专利一种传输门电路的版图及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115034166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210736935.0，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权一种传输门电路的版图及其设计方法是由颜志豪;张俊;张泽飞;王建;吴永一设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种传输门电路的版图及其设计方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种传输门电路的版图及其设计方法，其中，该方法包括：将多个PMOS管沿第一方向并排放置，多个NMOS管与多个PMOS管一一对应且并排放置于多个PMOS管下方。每个PMOS管的源极和对应设置于其下方的NMOS管的源极连接，每个PMOS管的漏极和对应设置于其下方的NMOS管的漏极连接。每个PMOS管的栅极和对应设置于其下方的NMOS管的栅极均与不同的控制信号线连接。将每个PMOS管的源极相连接并沿第一方向布置第一信号线，将每个NMOS管的漏极相连接并沿第一方向布置第二信号线。将多个NMOS管的P型衬底与地线连接，地线呈封闭对称布置。本申请提供的版图设计方法使第一信号线和第二信号线分别对地线产生的寄生电容达到匹配，减小了寄生电容对电路性能的影响。
本发明授权一种传输门电路的版图及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种传输门电路的版图设计方法，其特征在于，所述方法包括： 将多个PMOS管沿第一方向并排放置，多个NMOS管与所述多个PMOS管一一对应且并排放置于所述多个PMOS管下方； 每个所述PMOS管的源极和对应设置于其下方的所述NMOS管的源极连接，每个所述PMOS管的漏极和对应设置于其下方的所述NMOS管的漏极连接，每个所述PMOS管的栅极和对应设置于其下方的所述NMOS管的栅极均与不同的控制信号线连接； 将每个所述PMOS管的所述源极相连接并沿第一方向布置第一信号线； 将每个所述NMOS管的所述漏极相连接并沿所述第一方向布置第二信号线； 将所述多个NMOS管的P型衬底与地线连接，所述地线呈封闭对称布置，并将所述第一信号线和所述第二信号线相对于所述地线对称分布，使得所述第一信号线和所述第二信号线分别到所述地线的距离相等。
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