华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利降低台阶断裂可能的发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210621771.7，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权降低台阶断裂可能的发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低台阶断裂可能的发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了降低台阶断裂可能的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作技术领域。发光二极管芯片中，在n型层的表面指向p型层的方向上，使台阶的侧壁与外延片的侧壁之间的最大距离逐渐减小。台阶的侧壁的纵截面为曲线，且曲线包括靠近p型层的第一弧形线段与远离p型层的第二弧形线段，第一弧形线段的一端与第二弧形线段的一端相连且相切，第一弧形线段所对应的圆心位于外延片内，第二弧形线段所对应的圆心位于外延片外。避免应力集中，台阶在靠近p型层与n型层的连接位置处较为平缓且连接面积较大，连接强度大且对于垂直方向的作用力承受度较高，可以降低断裂可能。
本发明授权降低台阶断裂可能的发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低台阶断裂可能的发光二极管芯片，所述降低台阶断裂可能的发光二极管芯片包括外延片、n电极与p电极，所述外延片包括衬底及依次层叠在衬底上的n型层、发光层与p型层，所述p型层的表面具有延伸至n型层的的台阶，所述n电极与所述n型层被台阶暴露的表面电相连，所述p电极与所述p型层的表面电相连，其特征在于， 在所述n型层的表面指向所述p型层的方向上，所述台阶的侧壁与所述外延片的侧壁之间的最大距离逐渐减小，且所述台阶的侧壁的纵截面为曲线，所述曲线包括靠近所述p型层的第一弧形线段与远离所述p型层的第二弧形线段，所述第一弧形线段的一端与所述第二弧形线段的一端相连且相切，所述第一弧形线段所对应的圆心位于所述外延片内，所述第二弧形线段所对应的圆心位于所述外延片外。
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