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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210609466.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺设备是由杨帅;谢远祥;张波设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺设备：包括工艺管、多个进气管和多组电极组件，工艺管内形成有工艺腔和多个缓冲腔，多个进气管对应延伸至多个缓冲腔中，工艺管侧壁设有与工艺腔连通的排气口，每个缓冲腔至少与一组电极组件对应设置，且电极组件延伸至缓冲腔内，并与射频电源连接；电极组件包括可变形的电极芯、多个电极管和电极网，多个电极管沿电极芯的延伸方向依次设置，且相邻两个电极管之间具有预设间隙，电极芯穿设于多个电极管内，并与多个电极管分别连接；电极网沿电极芯的延伸方向设置，并套设于多个电极管的外侧。本申请能够解决电极成本高、使用寿命短等问题。

本发明授权半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺管（200）、多个进气管（600）和多组电极组件（100）； 所述工艺管（200）的内部形成有工艺腔（210）和多个缓冲腔（220），多个所述缓冲腔（220）沿所述工艺管（200）的周向分布，且均与所述工艺腔（210）连通，多个所述进气管（600）穿过所述工艺管（200）的侧壁一一对应地延伸至多个所述缓冲腔（220）中，用于向对应的所述缓冲腔（220）内通入工艺气体，所述工艺管（200）的侧壁设有排气口（230），所述排气口（230）与所述工艺腔（210）连通，用于将工艺腔（210）内的气体排出，每个所述缓冲腔（220）至少与一组所述电极组件（100）对应设置，每一组所述电极组件（100）包括两个所述电极组件（100），两个所述电极组件（100）各自的一端分别穿过所述工艺腔（210）的侧壁延伸至相应的所述缓冲腔（220）内，两个所述电极组件（100）各自的另一端分别用于与射频电源的正负极连接，其中， 所述电极组件（100）包括可变形的电极芯（110）、多个电极管（120）以及电极网（130），多个所述电极管（120）沿所述电极芯（110）的延伸方向依次设置，且相邻两个所述电极管（120）之间具有预设间隙，所述电极芯（110）穿设于多个所述电极管（120）内，并与多个所述电极管（120）分别连接；所述电极网（130）沿所述电极芯（110）的延伸方向设置，并套设于多个所述电极管（120）的外侧。

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