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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种基于单片测量的新型B-H复合传感结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115077604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210609254.8，技术领域涉及：G01D21/02；该发明授权一种基于单片测量的新型B-H复合传感结构是由赵浛宇;邬钰洁;刘维豪;赵显鲁设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于单片测量的新型B-H复合传感结构在说明书摘要公布了：一种基于单片测量的新型B‑H复合传感结构，包括夹紧装置、切向线圈复合传感器、霍尔元件复合传感器、励磁装置和磁轭；所述切向线圈复合传感器与霍尔元件复合传感器分别固定于夹紧装置的两个夹板；所述切向线圈复合传感器与霍尔元件复合传感器的之间居中放置待测样片，测量区域为样片中间位置；夹板使得切向线圈复合传感器与霍尔元件复合传感器贴近并夹紧待测样片；励磁装置为绝缘材料制成的空心矩形柱体，其表面均匀绕制励磁线圈；励磁装置水平居中放入磁轭，待测样片水平穿过励磁装置，样片边缘被夹于磁轭的贴合处。节省材料且装置简易，易于拆解，可测量多种材料，在测量样片磁特性的同时可以检测温度和压力，该装置具有较高可行性。

本发明授权一种基于单片测量的新型B-H复合传感结构在权利要求书中公布了：1.一种基于单片测量的新型B-H复合传感结构，其特征在于它包括夹紧装置、切向线圈复合传感器、霍尔元件复合传感器、励磁装置和磁轭；其中，所述夹紧装置包括两个夹板；所述切向线圈复合传感器与霍尔元件复合传感器分别固定于夹紧装置的两个夹板；所述切向线圈复合传感器与霍尔元件复合传感器的之间居中放置待测样片，测量区域为样片中间位置；夹板使得切向线圈复合传感器与霍尔元件复合传感器贴近并夹紧待测样片；励磁装置为绝缘材料制成的空心矩形柱体，其表面均匀绕制励磁线圈，待测样片水平居中放置其中；励磁装置水平居中放入磁轭，待测样片水平穿过励磁装置，样片边缘被夹于磁轭的贴合处; 所述霍尔元件复合传感器是由双层绝缘板I、霍尔元件传感器、温度传感器和压力传感器构成；所述双层绝缘板I的上下两个绝缘板之间有夹层I；所述霍尔元件、温度传感器及压力传感器固定于双层绝缘板I的夹层I中，并安装于双层绝缘板I中与测试样品相对应的一侧的层板上的开槽处，贴近待测样片; 所述切向线圈复合传感器由双层绝缘板II、切向线圈传感器、温度传感器和压力传感器构成；所述双层绝缘板II的上下两个绝缘板之间有夹层II；所述切向线圈传感器、温度传感器及压力传感器固定于双层绝缘板II的夹层II中，并安装于双层绝缘板II中与测试样品相对应的一侧的层板上的开槽处，贴近待测样片。

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