华灿光电(浙江)有限公司尚玉平获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210546955.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法是由尚玉平;陆香花;肖云飞;李鹏设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开公开了提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。生长发光二极管外延片的多量子阱层中的垒层时，向反应腔通入第一有机金属源与第一反应气体生长第一子层，第一有机金属源包括三甲基镓，第一反应气体包括氢气、氨气与氮气。得到的第一子层的生长速度较快，缩短垒层所需的制备时长；而第一反应气体中的氢气可以抑制In原子渗入第一子层中，保证第一子层的成形速度的同时提高得到的第一子层的晶体质量。通入三乙基镓与第二反应气体在第一子层上生长第二子层，三乙基镓可以使得到的第二子层具有更好的晶体质量与电学性能，有效提高最终得到的发光二极管外延片的发光效率与制备效率。
本发明授权提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高发光与制备效率的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一衬底； 在所述衬底上生长n型GaN层； 在所述n型GaN层生长多量子阱层，所述多量子阱层包括交替层叠的垒层与InGaN阱层，所述垒层的材料为镓氮化合物； 在所述多量子阱层上生长p型GaN层； 生长所述垒层，包括： 向反应腔通入第一有机金属源与第一反应气体生长第一子层，所述第一有机金属源包括三甲基镓，所述第一反应气体包括氢气、氨气与氮气； 向所述反应腔通入第二有机金属源与第二反应气体以在所述第一子层上生长第二子层，所述第二有机金属源包括三乙基镓，所述第二反应气体包括氮气和氨气，所述第一子层的材料与所述第二子层的材料相同。
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