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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利异形薄膜晶体管及阵列基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914299B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210512981.2，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权异形薄膜晶体管及阵列基板是由高芮设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本异形薄膜晶体管及阵列基板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种异形薄膜晶体管及阵列基板，异形薄膜晶体管包括第一栅部、第一补偿电极和第一源极，第一补偿电极位于第一栅部的一侧，第一补偿电极与第一栅部连接；第一源极与第一栅部异层设置，第一源极与第一补偿电极异层设置，第一源极包括依次连接的第一延伸部、第一源部和第二延伸部，第一源部位于第一栅部和第一补偿电极之间；第一延伸部设于第一源部靠近第一栅部的一侧，第一延伸部的局部与第一栅部重叠设置；第二延伸部设于第一源部靠近第一补偿电极的一侧，第二延伸部的局部与第一补偿电极重叠设置，可以解决阵列基板由于制程偏差而导致寄生电容变化的技术问题。

本发明授权异形薄膜晶体管及阵列基板在权利要求书中公布了：1.一种异形薄膜晶体管，其特征在于，所述异形薄膜晶体管包括： 第一栅部； 第一补偿电极，位于所述第一栅部的一侧，所述第一补偿电极与所述第一栅部连接； 第一源极，所述第一源极与所述第一栅部异层设置，所述第一源极与所述第一补偿电极异层设置，所述第一源极包括第一延伸部、第一源部和第二延伸部，所述第一延伸部与所述第一源部连接，所述第二延伸部与所述第一源部连接；所述第一延伸部的局部与所述第一栅部重叠设置；所述第二延伸部的局部与所述第一补偿电极重叠设置； 所述异形薄膜晶体管还包括： 第二补偿电极，与所述第一源极异层设置，所述第二补偿电极连接于所述第一栅部； 第三补偿电极，与所述第一源极异层设置，所述第三补偿电极连接于所述第一栅部，所述第三补偿电极沿与所述第一延伸部或所述第二延伸部的延伸方向垂直的方向设于所述第二补偿电极的一侧，所述第一源部设于所述第二补偿电极和所述第三补偿电极之间； 所述第一源极还包括第三延伸部和第四延伸部，所述第三延伸部连接于所述第一源部，所述第三延伸部的局部与所述第二补偿电极重叠设置；所述第四延伸部连接于所述第一源部，所述第四延伸部的局部与所述第三补偿电极重叠设置。

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