深圳市华星光电半导体显示技术有限公司郑介鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板和显示面板的修复方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114784076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210456620.0,技术领域涉及:H10K59/12;该发明授权显示面板和显示面板的修复方法是由郑介鑫设计研发完成,并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板和显示面板的修复方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种显示面板和显示面板的修复方法,显示面板包括多个子像素,每一子像素包括相邻设置的发光区和非发光区,显示面板包括依次层叠设置的衬底、晶体管层以及发光结构层,晶体管层包括晶体管和外延导体部,晶体管包括同层且间隔设置的第一电极和第二电极,外延导体部位于非发光区,外延导体部与第一电极或者第二电极连接;发光结构层包括层叠设置的下电极和上电极,下电极与第一电极或者第二电极连接,上电极从发光区延伸至非发光区;其中,外延导体部在衬底上的正投影与上电极在衬底上的正投影至少部分重叠。使得显示面板出现亮点不良时,可以与上电极连接,提高修复亮点不良的效率。
本发明授权显示面板和显示面板的修复方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个子像素,每一所述子像素包括相邻设置的发光区和非发光区,所述显示面板包括: 衬底; 晶体管层,设置于所述衬底上,所述晶体管层包括晶体管和外延导体部,所述晶体管位于所述发光区,所述晶体管包括同层且间隔设置的第一电极和第二电极,所述外延导体部位于所述非发光区,所述晶体管还包括位于所述第一电极下方的有源部,所述外延导体部包括第一外延部,所述有源部与所述第一外延部连接,且所述有源部与所述第一电极或第二电极连接;以及 发光结构层,设置于所述晶体管层上,所述发光结构层包括层叠设置的下电极和上电极,所述下电极与所述第一电极或所述第二电极连接,所述上电极从所述发光区延伸至所述非发光区; 其中,所述外延导体部在所述衬底上的正投影与所述上电极在所述衬底上的正投影至少部分重叠; 所述第一外延部由所述有源部朝向所述非发光区延伸构成; 所述晶体管层还包括金属导通部,所述金属导通部设置于所述第一外延部上,所述金属导通部与所述第一外延部连接,并与所述上电极绝缘; 所述第一外延部在所述衬底上的正投影为第一投影,所述上电极在所述衬底上的正投影为第二投影,所述金属导通部在所述衬底上的正投影为第三投影,所述第三投影与所述第一投影以及所述第二投影三者至少部分重合。
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