美光科技公司K·K·柯比获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有竖直偏移键合表面的半导体互连结构以及相关联系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210408337.0，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权具有竖直偏移键合表面的半导体互连结构以及相关联系统和方法是由K·K·柯比设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有竖直偏移键合表面的半导体互连结构以及相关联系统和方法在说明书摘要公布了：本文中公开了具有竖直偏移键合表面的半导体互连结构以及相关联系统和方法。在一个实施例中，一种半导体装置包含：半导体衬底，其至少部分地由具有上表面的第一介电材料覆盖；以及互连结构，其从所述半导体衬底延伸。所述互连结构可包含：多个导电元件；以及第一绝缘材料的连续区，其至少部分地在所述多个导电元件之间。所述多个导电元件和所述连续区可具有共面端面。所述互连结构可进一步包含至少部分地包围所述多个导电元件和所述连续区的周边结构。所述周边结构可具有最上表面，所述最上表面可从所述第一介电材料的所述上表面和或所述共面端面竖直偏移。
本发明授权具有竖直偏移键合表面的半导体互连结构以及相关联系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 半导体衬底； 介电层，其形成于所述衬底上，所述介电层具有上表面；以及 互连结构，其安置于所述介电层中，所述互连结构包含： 多个导电元件，其电耦合到所述半导体衬底中的电路系统，所述多个导电元件具有共面端面， 第一绝缘材料的连续区，其至少部分地在所述多个导电元件之间，所述区具有与所述端面共面的最上表面，以及 第二绝缘材料的周边结构，其包围所述多个导电元件和所述第一绝缘材料的所述区，所述周边结构的最上表面从所述共面端面或所述介电层的所述上表面竖直偏移。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号