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龙图腾网获悉杭州城芯科技有限公司申请的专利一种带恒定偏置电路的ADC输入缓冲器及ADC获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210395892.4，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种带恒定偏置电路的ADC输入缓冲器及ADC是由沈玉鹏;周苏萍;李国儒设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带恒定偏置电路的ADC输入缓冲器及ADC在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种带恒定偏置电路的ADC输入缓冲器及ADC，该ADC输入缓冲器包括缓冲电路和恒定偏置电路；缓冲电路采用推挽式架构；恒定偏置电路用于为缓冲电路提供恒定偏置电流，包括第一参考电压支路、第二参考电压支路、共模稳定支路和复制支路；其中，第一参考电压支路和第二参考电压支路用于提供参考偏置电压；复制支路用于通过比例电流镜和比例电阻实现复制第一参考电压支路和第二参考电压支路中的参考偏置电压，并向缓冲电路输出；共模稳定支路用于在复制支路中电流失配时进行分流，使缓冲电路具有恒定的输出共模电平。本发明提供了一种低功耗，且对PVT变化具有自动补偿功能的高线性度输入缓冲器。

本发明授权一种带恒定偏置电路的ADC输入缓冲器及ADC在权利要求书中公布了：1.一种带恒定偏置电路的ADC输入缓冲器，其特征在于，包括： 缓冲电路，采用推挽式架构； 恒定偏置电路，用于为所述缓冲电路提供恒定偏置电流，包括第一参考电压支路、第二参考电压支路、共模稳定支路和复制支路；其中，所述第一参考电压支路和所述第二参考电压支路均包括恒定偏置电流源和采用二极管接法的参考电压偏置管，用于提供参考偏置电压；所述复制支路用于通过比例电流镜和比例电阻实现复制所述第一参考电压支路和所述第二参考电压支路中的参考偏置电压，并向所述缓冲电路输出，以实现所述缓冲电路中偏置电流与所述第一参考电压支路、所述第二参考电压支路中恒定偏置电流的比例复制；所述共模稳定支路用于在所述复制支路中电流失配时进行分流，使所述缓冲电路具有恒定的输出共模电平； 所述第一参考电压支路包括：第一恒定偏置电流源Ibias1、第一参考电压偏置管MN1c、第一运放opamp1、第一电流源管MP3c、第一共源共栅管MP3d和第一参考电阻R2c； 其中，所述第一参考电压偏置管MN1c为NMOS管，所述第一电流源管MP3c和所述第一共源共栅管MP3d为PMOS管； 所述第一恒定偏置电流源Ibias1的高电势端连接电源vdd，低电势端连接所述第一运放opamp1的正输入端，以及所述第一参考电压偏置管MN1c的漏极和栅极，所述第一参考电压偏置管MN1c的源极和体极连接公共地vss； 所述第一电流源管MP3c的源极和体极以及所述第一共源共栅管MP3d的体极连接电源vdd，所述第一电流源管MP3c的栅极连接所述第一运放opamp1的输出端，作为所述第一参考电压支路的输出端； 所述第一共源共栅管MP3d的源极连接所述第一电流源管MP3c的漏极，所述第一共源共栅管MP3d的栅极连接第一共源共栅偏置电压Vbp，所述第一共源共栅管MP3d的漏极连接所述第一运放opamp1的负输入端，并通过所述第一参考电阻R2c连接公共地vss； 所述第二参考电压支路包括：第二恒定偏置电流源Ibias2、第二参考电压偏置管MP1c、第二运放opamp2、第二电流源管MN3c、第二共源共栅管MN3d和第二参考电阻R3c； 其中，所述第二参考电压偏置管MP1c为PMOS管，所述第二电流源管MN3c和所述第二共源共栅管MN3d为NMOS管； 所述第二参考电压偏置管MP1c的源极和体极连接电源vdd，栅极和漏极连接所述第二恒定偏置电流源Ibias2的高电势端以及所述第二运放opamp2的正输入端，所述第二恒定偏置电流源Ibias2的低电势端连接公共地vss； 所述第二参考电阻R3c的一端连接电源vdd，另一端连接所述第二运放opamp2的负输入端以及所述第二共源共栅管MN3d的漏极； 所述第二共源共栅管MN3d的栅极连接第二共源共栅偏置电压Vbn，体极以及所述第二电流源管MN3c的源极和体极连接公共地vss； 所述第二电流源管MN3c的漏极连接所述第二共源共栅管MN3d的源极，所述第二电流源管MN3c的栅极连接所述第二运放opamp2的输出端，作为所述第二参考电压支路的输出端； 其中，第一共源共栅管MP3d和第二共源共栅管MN3d为cascode管，用于提升电流镜复制精度；第一恒定偏置电流源Ibias1、第二恒定偏置电流源Ibias2的电流与PVT无关，所述恒定偏置电路将与PVT无关的恒定偏置电流通过参考电压偏置管产生参考偏置电压并通过比例电流镜和比例电阻生成缓冲电路中源跟随器的输入偏置电压，使得缓冲电路获得的偏置电流不受PVT波动影响； 所述复制支路包括第三电流源管MP3、第四电流源管MN3，以及第一分压电阻R1至第四分压电阻R4； 其中，所述第三电流源管MP3为PMOS管，所述第四电流源管MN3为NMOS管； 所述第三电流源管MP3的源极和体极连接电源vdd，所述第三电流源管MP3的漏极通过串联的第一分压电阻R1至第四分压电阻R4连接所述第四电流源管MN3的漏极，所述第四电流源管MN3的源极和体极连接公共地vss； 所述第三电流源管MP3的栅极连接所述第一参考电压支路的输出端，所述第四电流源管MN3的栅极连接所述第二参考电压支路的输出端； 所述第三电流源管MP3的漏极电压、第一分压电阻R1和第二分压电阻R2之间的节点电压、第三分压电阻R3和第四分压电阻R4之间的节点电压、所述第四电流源管MN3的漏极电压分别作为输出的第一偏置电压VA、第二偏置电压VB、第三偏置电压VD、第四偏置电压VE接入所述缓冲电路； 所述共模稳定支路包括第三恒定偏置电流源Ibias3、第一偏置电阻Rb3和第二偏置电阻Rb4； 所述第三恒定偏置电流源Ibias3的高电势端连接电源vdd，低电势端通过串联的所述第一偏置电阻Rb3和所述第二偏置电阻Rb4连接公共地vss，所述第一偏置电阻Rb3和所述第二偏置电阻Rb4之间的节点连接所述复制支路中所述第二分压电阻R2和所述第三分压电阻R3之间的节点；采用与PVT无关的第三恒定偏置电流源Ibias3进一步实现固定输出共模电平。

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