福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210345878.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置及其制作方法是由张钦福;汪超;童宇诚;冯立伟;吴家伟设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体存储装置及其制作方法，制作方法包括以下步骤。首先，提供衬底，衬底上形成多个有源区，并于衬底内形成浅沟槽隔离，围绕所有的有源区。接着，于衬底内形成多条栅极沟槽，穿过浅沟槽隔离以及有源区。然后，于衬底上形成半导体层，覆盖各栅极沟槽的表面，以及，将半导体层氧化为氧化层。而后，于衬底内形成多个栅极结构，各栅极结构分别填满各栅极沟槽，并与浅沟槽隔离以及有源区交错。由此，可改善有源区之间空隙较大而衍生的接缝问题，提升所制作的半导体存储装置的可靠性。
本发明授权半导体存储装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的制作方法，其特征在于包括： 提供衬底，所述衬底上形成多个有源区，所述有源区彼此平行且交替地沿着第一方向延伸； 于所述衬底内形成浅沟槽隔离，围绕所有的所述有源区； 于所述衬底内形成多条栅极沟槽，各所述栅极沟槽彼此平行地沿着第二方向延伸并穿过所述浅沟槽隔离以及所述有源区； 于所述衬底上形成半导体层，所述半导体层覆盖各所述栅极沟槽以及所述衬底的表面； 将所述半导体层氧化为氧化层，所述氧化层覆盖各所述栅极沟槽的表面；以及 于所述衬底内形成多个栅极结构，各所述栅极结构分别填满各所述栅极沟槽，并与所述浅沟槽隔离以及所述有源区交错。
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