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龙图腾网获悉清矽微电子(南京)有限公司申请的专利一种片上毫米波雷达多模式本振链路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114740431B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210310308.0，技术领域涉及：G01S7/02；该发明授权一种片上毫米波雷达多模式本振链路及控制方法是由何建中;张雷;方然设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片上毫米波雷达多模式本振链路及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种片上毫米波雷达多模式本振链路及控制方法，包括包括：分配网络、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、二选一电路、倍频电路和第四放大电路；所述分配网络分别连接所述第一放大电路的输入端和所述第二放大电路的输出端，所述第一放大电路的输出端连接所述二选一电路的一路输入端，所述二选一电路的另一路输入端连接所述第三放大电路的输出端和所述第二放大电路的输入端，所述二选一电路的输出端连接所述倍频电路的输入端，所述倍频电路的输出端连接所述第四放大电路的输入端；所述第一放大电路连接控制信号S1，所述第二放大电路连接控制信号S2，所述第三放大电路连接控制信号S3，所述二选一电路连接控制信号S4。结合片上毫米波雷达多模式工作需求，采用高集成度的分配网络和一系列控制开关，对毫米波雷达本振链路进行优化设计，在保证毫米波雷达多模式硬件兼容的同时，压缩了芯片面积，降低了芯片成本。

本发明授权一种片上毫米波雷达多模式本振链路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种片上毫米波雷达多模式本振链路，其特征在于，包括：分配网络、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、二选一电路、倍频电路和第四放大电路；所述分配网络分别连接所述第一放大电路的输入端和所述第二放大电路的输出端，所述第一放大电路的输出端连接所述二选一电路的一路输入端，所述二选一电路的另一路输入端连接所述第三放大电路的输出端和所述第二放大电路的输入端，所述二选一电路的输出端连接所述倍频电路的输入端，所述倍频电路的输出端连接所述第四放大电路的输入端；所述第一放大电路连接控制信号S1，所述第二放大电路连接控制信号S2，所述第三放大电路连接控制信号S3，所述二选一电路连接控制信号S4； 其中，所述分配网络包括：多端口变压器B1、N型MOS晶体管M1、N型MOS晶体管M3、N型MOS晶体管M5、N型MOS晶体管M7、P型MOS晶体管M2、P型MOS晶体管M4、P型MOS晶体管M6、P型MOS晶体管M8、反相器I1、反相器I2、电容C1、电容C2；所述多端口变压器B1包括主级线圈L1、第一次级线圈L2和第二次级线圈L3；所述线圈L1两端分别接端口a和地，所述线圈L2两端分别接端口b和端口e，所述线圈L3两端分别接端口d和端口c；所述N型MOS晶体管M1和所述P型MOS晶体管M2的源漏两端并联分别接端口b和电压V1，所述N型MOS晶体管M3和所述P型MOS晶体管M4的源漏两端并联分别接端口c和电压V1，所述P型MOS晶体管M2和所述P型MOS晶体管M4接所述反相器I1的输入端和控制信号D1，所述N型MOS晶体管M1和所述N型MOS晶体管M3接反相器I1的输出端；所述N型MOS晶体管M5和所述P型MOS晶体管M6的源漏两端并联分别接端口e和电压V2，所述N型MOS晶体管M7和所述P型MOS晶体管M8的源漏两端并联分别接端口d和电压V2，所述P型MOS晶体管M6和所述P型MOS晶体管M8接所述反相器I2的输入端和控制信号D2，所述N型MOS晶体管M5和所述N型MOS晶体管M7接反相器I2的输出端；所述电容C1两端分别接电压V1和地，所述电容C2两端分别接电压V2和地； 所述第一放大电路、所述第二放大电路和所述第三放大电路分别通过控制信号S1、S2和S3实现关闭功能；所述二选一电路通过控制信号S4实现二选一切换功能。

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