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龙图腾网获悉无锡邑文电子科技有限公司申请的专利光刻胶去除方法和去胶机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114660909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210305069.X，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权光刻胶去除方法和去胶机是由林政勋;张云飞;华义永设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本光刻胶去除方法和去胶机在说明书摘要公布了：本实施例提供了一种光刻胶去除方法和去胶机，涉及半导体技术领域。去胶机包括去胶机本体、进气管道和等离子体形成装置。等离子体形成装置设置于去胶机本体的反应腔，等离子体形成装置具有与反应腔连通的等离子体形成腔室，等离子体形成装置用于形成等离子体。进气管道与等离子体形成腔室连通，以向等离子形成腔室输送气体。方法包括将涂好胶的硅片送入反应腔；控制等离子体形成装置以第一预设射频功率运行，进气管道向等离子体形成腔室内通入第一预设量的氧气和第二预设量的氮气；使等离子体形成装置以第二预设射频功率运行，进气管道向等离子体形成腔室内通入第三预设量的氧气以使等离子体形成装置形成等离子体，以对涂好胶的硅片的胶进行去除。

本发明授权光刻胶去除方法和去胶机在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，所述光刻胶去除方法应用于去胶机； 所述去胶机包括去胶机本体、进气管道和等离子体形成装置； 所述去胶机本体具有反应腔； 所述等离子体形成装置设置于所述去胶机本体，所述等离子体形成装置具有等离子体形成腔室，所述等离子体形成腔室与所述反应腔连通，所述等离子体形成装置用于形成等离子体； 所述进气管道与所述等离子体形成腔室连通，所述进气管道用于向所述等离子形成腔室输送气体； 所述光刻胶去除方法包括： 将涂好胶的硅片送入反应腔； 控制所述等离子体形成装置以第一预设射频功率运行，并控制进气管道向所述等离子体形成腔室内通入第一预设量的氧气和第二预设量的氮气； 控制所述等离子体形成装置以第二预设射频功率运行，并控制进气管道向所述等离子体形成腔室内通入第三预设量的氧气以使等离子体形成装置形成等离子体，以对所述涂好胶的硅片的胶进行去除； 其中，所述第二预设射频功率大于所述第一预设射频功率，所述第三预设量大于所述第一预设量，所述第二预设量的取值范围为5%-10%。

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