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龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210264075.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器及制备方法是由王肖沐;刘媛;王军转;施毅设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器制备方法，包括：1利用背照式CMOS工艺形成Si衬底；2获得单层或多层石墨烯；3将所述单层石墨烯转移到步骤1的Si衬底上。本发明的石墨烯红外探测器的背照式CMOS制备工艺使电气组件与光线分离，避免了金属布线层对光的吸收、反射，从而获得更高的量子效率，实现更高质量的成像。采用石墨烯作为吸光的材料，因其极高的载流子迁移率及对红外波段的宽谱吸收，使得本发明所述石墨烯红外光探测器具有极快的响应速度和全波段的响应带宽。

本发明授权基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器，包括硅衬底层（2）、支撑衬底（12）、CMOS前端工艺制作的晶体管及金属互连层以及TSV通孔（13）；所述CMOS前端工艺制作的晶体管和金属互联层设置于键合起来的硅衬底层（2）和支撑衬底（12）之间； 所述CMOS前端工艺制作的晶体管包括设置于硅衬底层（2）底面的硅阱（3），所述硅阱（3）上设置有源区（4）和漏区（5），所述源区（4）和漏区（5）之间设置有栅极（6），所述源区（4）、漏区（5）及栅极（6）的表面沉积有缓冲隔离层（7）；所述缓冲隔离层（7）表面沉积有硼磷硅玻璃层（8），所述硼磷硅玻璃层（8）下方沉积有金属绝缘体材料层，所述硼磷硅玻璃层（8）和金属绝缘体材料层内分布有所述金属互联层； 所述金属互联层包括若干层内部填充有金属材料的接触通孔（9），最上面的两个接触通孔（9）内的金属材料分别与漏区（4）和源区（5）连接，相邻两层接触通孔（9）通过金属铝层（10）连接； 所述TSV通孔（13）从上至下贯穿于所述硅衬底层（2）、硅阱（3）、缓冲隔离层（7）、硼磷硅玻璃层（8）后至金属铝层（10）表面，所述TSV通孔（13）表面沉积有第二钝化层（14）。

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