株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社间岛秀明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利劣化检查装置以及劣化检查方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115494363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210208122.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权劣化检查装置以及劣化检查方法是由间岛秀明设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本劣化检查装置以及劣化检查方法在说明书摘要公布了：本实施方式涉及劣化检查装置以及劣化检查方法。根据一个实施方式，劣化检查装置具备：电感器，串联连接于作为被检查对象的MOS晶体管的主电流路，在上述MOS晶体管为导通状态时与上述MOS晶体管一起构成闭环；控制电路，对上述MOS晶体管的导通截止进行控制；电流传感器，检测上述电感器释放的电流；以及计算电路，根据上述MOS晶体管为导通状态时上述电感器释放的电流的衰减特性计算上述MOS晶体管的导通电阻，根据上述MOS晶体管为截止状态时上述电感器释放的电流的衰减特性计算上述MOS晶体管的阈值电压。
本发明授权劣化检查装置以及劣化检查方法在权利要求书中公布了：1.一种劣化检查装置，具备： 电感器，串联连接于作为被检查对象的MOS晶体管的主电流路，在上述MOS晶体管为导通状态时与上述MOS晶体管一起构成闭环； 控制电路，对上述MOS晶体管的导通截止进行控制； 电流传感器，检测上述电感器释放的电流； 计算电路，根据上述MOS晶体管为导通状态时上述电感器释放的电流的衰减特性的斜率计算上述MOS晶体管的导通电阻，根据上述MOS晶体管为截止状态时上述电感器释放的电流的衰减特性的斜率计算上述MOS晶体管的阈值电压；以及 判定电路，将预先设定的导通电阻以及阈值电压的阈值与上述计算电路计算出的上述MOS晶体管的导通电阻以及阈值电压进行比较而判定上述MOS晶体管的劣化状态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号