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龙图腾网获悉黑龙江大学申请的专利一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及制作工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210182692.0，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及制作工艺方法是由赵晓锋;车昊阳;于志鹏;温殿忠设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及制作工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及其制作工艺方法，该结构包括SOI器件硅层内引线、SiO2介质隔离环和磁敏感区等，通过器件硅层内引线将发射极E从器件硅层的下表面引至器件硅层的上表面，使基极B、集电极C和发射极E均位于器件硅层的上表面，同时通过SiO2介质隔离环进行内引线区和磁敏感区的隔离，抑制内引线区杂质横向扩散对磁敏感区的影响。通过采用SOI工艺和CMOS工艺相结合，实现了立体硅磁敏感三极管的三个电极E、B和C平面化，突破了该器件发射区内引线制作工艺难点，为器件的集成化、小型化和批量化生产奠定基础，同时进一步提高了立体结构磁敏三极管在磁场测量中的准确度。

本发明授权一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及制作工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管的制作工艺方法，其特征在于，所述平面化电极结构的立体硅磁敏三极管包括SOI器件硅层内引线（5）、SiO2介质隔离环（6）和磁敏感区， 所述SiO2介质隔离环（6）位于第一硅片（1），并贯穿第一硅片（1），SiO2介质隔离环（6）在第一硅片（1）中形成多个隔离区域，器件硅层内引线（5）和磁敏感区均分布在隔离区域中， 所述方法包括以下步骤： 步骤1、清洗硅片，0次光刻，在硅片上表面和下表面通过干法刻蚀对版标记； 步骤2、清洗硅片，一次光刻，在硅片的下表面光刻隔离槽窗口，沉积SiO2隔离介质，制作SiO2介质隔离环（6），对硅片下表面进行平坦化工艺处理； 步骤3、清洗硅片，在硅片下表面热氧化法生长SiO2层，作为离子注入缓冲层； 步骤4、二次光刻，光刻内引线窗口，离子注入，形成n+型重掺杂，制作器件硅层内引线（5），并高温退火，所述高温退火温度为900～1200℃，对硅片下表面进行平坦化工艺处理； 步骤5、三次光刻，光刻发射区窗口，离子注入，形成n+型重掺杂，制作发射区（4），并高温退火，对硅片下表面进行平坦化工艺处理，所述高温退火温度为900～1200℃； 步骤6、清洗硅片和第二硅片（2），在第二硅片（2）的上表面和下表面热生长SiO2层，并将第二硅片（2）的上表面与硅片的下表面键合； 步骤7、0'次光刻，双面光刻转移硅片上表面对版标记至第二硅片（2）下表面； 步骤8、减薄硅片上表面，形成SOI晶圆，减薄后的硅片称为第一硅片（1），即器件硅层； 步骤9、四次光刻，光刻集电极负载电阻R L窗口和基极负载电阻R b窗口，离子注入，在第一硅片（1）的上表面形成n-型掺杂，制作集电极负载电阻R L和基极负载电阻R b； 步骤10、五次光刻，光刻集电区窗口，离子注入，形成n+型重掺杂，制作集电区（7）； 步骤11、六次光刻，光刻基区窗口，离子注入，形成p+型重掺杂，制作基区（8），并高温退火，退火温度为1000～1200℃； 步骤12、清洗第一硅片（1），在第一硅片（1）上表面沉积SiO2层，作为绝缘层； 步骤13、七次光刻，在第一硅片（1）的上表面刻蚀引线孔，蒸镀金属Al层； 步骤14、八次光刻，刻蚀金属层，形成互连线和压焊点，金属合金化工艺，形成欧姆接触； 步骤15、清洗键合硅片，在第一硅片（1）的上表面沉积氮化硅（Si3N4）层，作为钝化层； 步骤16、九次光刻，刻蚀钝化层，形成压焊点； 步骤17、清洗键合片，中测，划片，无磁化封装。

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