江西兆驰半导体有限公司程龙获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551661B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210164053.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片是由程龙;印从飞;刘春杨;胡加辉设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，外延生长方法包括在生长P型接触层时，控制生长温度从高温逐渐降至低温，同时，掺杂Mg，控制Mg通入浓度高于P型GaN层Mg浓度，并且随着生长温度的降低，所述Mg通入浓度逐渐升高，因为在较高温度生长Mg掺GaN层可以得到较高晶体质量的Mg掺GaN层，同时，高温时，Mg较易掺杂进入GaN层中，但在低温时，掺杂Mg效率的下降很多，而通过在低温提高通入Mg的浓度，可以改善Mg在低温时掺杂浓度低的问题，又由于从高温到低温，降温的过程Mg逐渐并入，有效减少了Mg掺GaN层的晶格失配，从而使得P型接触层的接触电阻降低的同时，保证了晶体质量。
本发明授权一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长方法包括： 提供一生长所需的蓝宝石衬底； 在所述蓝宝石衬底上依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层； 将所述P型接触层在N2中进行退火处理； 在生长P型接触层时，控制生长温度从高温逐渐降至低温，同时，掺杂Mg，控制Mg通入浓度高于P型GaN层Mg浓度，并且随着生长温度的降低，所述Mg通入浓度逐渐升高，所述P型接触层生长温度从900℃～1000℃降至700℃，同时，随着所述P型接触层生长温度的降低，所述Mg通入浓度从1E19升高至5E20，所述P型接触层生长压力为100torr～600torr。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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