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龙图腾网获悉真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利读出放大器、存储装置以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114708892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210150312.5，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权读出放大器、存储装置以及电子设备是由池性洙;金基镐;金正镐;孙周焕;易莎设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本读出放大器、存储装置以及电子设备在说明书摘要公布了：本公开公开涉及读出放大器、包括该读出放大器的存储装置以及包括该存储装置的电子设备，该读出放大器包括：第一隔离单元；第二隔离单元；第一偏移消除单元；第二偏移消除单元；以及感测放大单元，其包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中，读出放大器还包括第一均衡单元和第二均衡单元中的至少一者，其中第一均衡单元配置成选择性地将预充电电压施加到位线，且第二均衡单元配置成选择性地将预充电电压施加到互补位线。由此，能够改善预充电操作中对位线的均衡性能，从而提高读出放大器的感测效率。

本发明授权读出放大器、存储装置以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种用于存储装置的读出放大器，包括： 第一隔离单元，其配置成选择性地连接位线和感测位线； 第二隔离单元，其配置成选择性地连接互补位线和互补感测位线； 第一偏移消除单元，其配置成选择性地连接所述位线和所述互补感测位线； 第二偏移消除单元，其配置成选择性地连接所述互补位线和所述感测位线；以及 感测放大单元，其包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中所述第一NMOS晶体管响应于所述位线的信号连接或断开所述互补感测位线和第一感测驱动信号线，所述第二NMOS晶体管响应于所述互补位线的信号连接或断开所述感测位线和第二感测驱动信号线，所述第一PMOS晶体管响应于所述感测位线的信号连接或断开所述互补感测位线和第三感测驱动信号线，所述第二PMOS晶体管响应于所述互补感测位线的信号连接或断开所述感测位线和第四感测驱动信号线， 所述读出放大器还包括第一均衡单元和第二均衡单元中的至少一者，其中所述第一均衡单元连接在所述位线上，所述第二均衡单元连接在所述互补位线上，所述第一均衡单元配置成选择性地将预充电电压施加到所述位线，且所述第二均衡单元配置成选择性地将所述预充电电压施加到所述互补位线。

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