帕洛阿尔托研究中心公司吕正平获国家专利权
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龙图腾网获悉帕洛阿尔托研究中心公司申请的专利使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210131281.9，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路是由吕正平设计研发完成，并于2022-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路在说明书摘要公布了：本发明题为“使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路”。一种装置包括具有第一源极、第一栅极、第一漏极和一个或多个电极的第一晶体管。第一晶体管用作逆变器。装置还包括具有第二源极、第二栅极和第二漏极的第二晶体管。第一源极和第二源极连接在一起。第一漏极和第二漏极连接在一起。第二晶体管用作输出部、驱动器或两者。一个或多个电极、第二栅极或它们的组合用作分接的漏极，该分接的漏极被配置成对第二晶体管的阶梯式电压进行采样。
本发明授权使用薄膜电子器件的可缩放高压控制电路在权利要求书中公布了：1.一种用于驱动致动器的开关装置，包括： 光学开关，被配置成将光转换成电流； 连接到所述光学开关的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一源极、第一栅极、第一漏极和一个或多个电极，其中所述第一晶体管用作逆变器； 第二晶体管，所述第二晶体管包括第二源极、第二栅极和第二漏极，其中所述第一源极和所述第二源极连接在一起，其中所述第一漏极和所述第二漏极连接在一起，其中所述第二晶体管用作输出部、驱动器或两者，并且其中所述一个或多个电极、所述第二栅极或它们的组合用作分接的漏极，所述分接的漏极被配置成对所述第二晶体管的阶梯式电压进行采样； 层间介电层；以及 至少部分地定位在所述层间介电层内的源极-漏极SD金属层，其中所述光学开关定位在所述源极-漏极SD金属层的第一部分和第二部分上，并且其中所述第一部分和第二部分通过层间介电层的一部分彼此间隔开。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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