西部数据技术公司乐广获国家专利权
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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利具有在软偏置侧屏蔽件下方的一个或多个反铁磁层的读磁头以及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210129014.8，技术领域涉及：G11B5/11；该发明授权具有在软偏置侧屏蔽件下方的一个或多个反铁磁层的读磁头以及相关方法是由乐广;姜洪权;黄承业;高野久志设计研发完成，并于2022-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有在软偏置侧屏蔽件下方的一个或多个反铁磁层的读磁头以及相关方法在说明书摘要公布了：本公开涉及用于例如磁带驱动器例如，磁带机的磁存储装置的读磁头设备，以及形成读磁头设备的方法。在一个实施方案中，用于磁存储装置的读磁头包含下屏蔽件、上屏蔽件、一条或多条下引线和多条上引线。所述读磁头包含多个读取传感器，所述多个读取传感器中的每个读取传感器包含第一反铁磁AFM层。所述读磁头包含安置在所述多个读取传感器之间以及所述多个读取传感器外部的多个软偏置侧屏蔽件。所述读磁头包含沿着下磁道方向安置在所述多个软偏置侧屏蔽件下方的多个第二AFM层。
本发明授权具有在软偏置侧屏蔽件下方的一个或多个反铁磁层的读磁头以及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种用于磁存储装置的读磁头，其包括： 下屏蔽件； 上屏蔽件； 一条或多条下引线，其安置在所述下屏蔽件与所述上屏蔽件之间； 多条上引线，其沿着下磁道方向安置在所述一条或多条下引线上方，其中所述多条上引线中的每一个以及所述一条或多条下引线中的每一个是非磁性的和导电的； 多个读取传感器，其安置在所述一条或多条下引线与所述多条上引线之间，其中 每个读取传感器的缓冲层安置在相对于所述下屏蔽件的第一距离处；每个读取传感器的顶盖层安置在相对于所述上屏蔽件的第二距离处，所述第二距离基本上等于所述第一距离，并且所述多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括： 第一反铁磁层即第一AFM层，以及 自由层； 多个软偏置侧屏蔽件，其安置在所述多个读取传感器之间以及所述多个读取传感器外部；以及 多个第二AFM层，其安置在所述下屏蔽件与所述多个软偏置侧屏蔽件之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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