西部数据技术公司乐广获国家专利权
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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利软偏置形状各向异性稳定读头和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210122939.X，技术领域涉及：G11B21/02；该发明授权软偏置形状各向异性稳定读头和其制造方法是由乐广;姜洪权;高野久志;黄承业;刘晓勇设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本软偏置形状各向异性稳定读头和其制造方法在说明书摘要公布了：软偏置形状各向异性稳定读头设计和其制造方法。本公开大体上涉及包括读头的磁存储装置，例如磁带驱动器。所述读头包括安置于在条高方向上具有第一宽度的下部屏蔽物与上部屏蔽物之间的多个读取传感器。所述多个读取传感器包括反铁磁层和包括第一层以及第二层的自由层。多个软偏置侧屏蔽物在跨轨道方向上邻近于所述多个读取传感器且在所述多个读取传感器之外安置，所述多个软偏置侧屏蔽物中的每一个在所述条高方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。所述多个软偏置侧屏蔽物中的每一个与所述下部屏蔽物间隔开第一距离且与所述上部屏蔽物间隔开第二距离，所述第一距离大体上等于所述第二距离。
本发明授权软偏置形状各向异性稳定读头和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种读头，其包括： 下部屏蔽物，其在条高方向上具有第一宽度； 上部屏蔽物； 下部导线，其安置在所述下部屏蔽物上方； 一或多个上部导线，其沿着向下轨道方向安置在所述下部导线与所述上部屏蔽物之间； 多个读取传感器，其在面向介质的表面处安置在所述下部导线与所述一或多个上部导线之间，所述多个读取传感器中的每一个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括： 反铁磁层即AFM层；以及 自由层；以及 多个软偏置侧屏蔽物，其安置在所述多个读取传感器之间和在所述多个读取传感器之外，所述多个软偏置侧屏蔽物中的每一个在所述条高方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中所述上部屏蔽物在所述条高方向上具有大体上等于所述第二宽度的第三宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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