台湾积体电路制造股份有限公司马礼修获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片、铁电场效应晶体管(FEFET)器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109031.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权集成芯片、铁电场效应晶体管(FEFET)器件及其形成方法是由马礼修;张志宇;杨世海设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片、铁电场效应晶体管(FEFET)器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种铁电场效应晶体管FeFET器件。在一些实施例中，FeFET器件包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的铁电层以及沿铁电层的第一侧设置的栅电极。FeFET器件还包括沿铁电层的与第一侧相反的第二侧设置的OS沟道层和设置在OS沟道层的相反侧上的一对源极漏极区域。FeFET器件还包括沿OS沟道层设置的2D接触层。OS沟道层具有第一掺杂类型，2D接触层具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。本申请的实施例提供了集成芯片、铁电场效应晶体管FEFET器件及其形成方法。
本发明授权集成芯片、铁电场效应晶体管(FEFET)器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电场效应晶体管器件，包括： 铁电层，具有第一侧和与第一侧相反的第二侧； 栅电极，沿所述铁电层的第一侧设置； 氧化物半导体沟道层，沿所述铁电层的与所述第一侧相反的第二侧设置，所述氧化物半导体沟道层具有第一掺杂类型； 一对源极漏极区域，设置在所述氧化物半导体沟道层的相反侧上；以及 二维接触层，沿所述氧化物半导体沟道层设置，所述二维接触层具有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型， 所述二维接触层位于所述一对源极漏极区域与所述氧化物半导体沟道层之间，所述一对源极漏极区域的底表面接触所述二维接触层的上表面。
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