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龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种SOT-MRAM器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210085736.8，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种SOT-MRAM器件及其形成方法是由张丛;刘宏喜;陈文静;王嘉毅;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SOT-MRAM器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SOT‑MRAM器件的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积SOT层；图形化磁隧道结图案到SOT层上方的光刻胶；对光刻胶表面进行固化处理，在SOT层上沉积MTJ堆叠层；采用剥离工艺去除SOT层上的光刻胶；在SOT层和MTJ堆叠层上沉积介质层，对介质层进行图形化处理，刻蚀介质层，将所需图案转移到介质层；在图形化处理后的介质层上沉积电极层，对电极层进行图形化处理，刻蚀后形成SOT‑MRAM器件。本发明通过图形化光刻胶后沉积膜堆的方式，避免了对SOT层蚀刻而引起的器件开路，优化MTJ隧道结的侧壁形貌，消除了刻蚀引起的侧壁损伤及缺陷，提高了SOT‑MRAM器件的稳定性。

本发明授权一种SOT-MRAM器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种SOT-MRAM器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：提供一衬底，在衬底上沉积SOT层； 步骤S2：在所述SOT层上进行光刻，图形化磁隧道结图案到SOT层上方的光刻胶； 步骤S3：对所述光刻胶的表面进行固化处理，形成固化层，所述固化处理使所述光刻胶的图形保持侧壁形貌； 步骤S4：在已图形化光刻胶的SOT层上沉积MTJ堆叠层，所述MTJ堆叠层从SOT层上表面开始，由下到上依次包括自由层、隧道结阻挡层、参考层、钉扎层、覆盖层； 步骤S5：采用剥离工艺去除SOT层上的光刻胶及光刻胶上的膜堆，保留SOT层上沉积的MTJ堆叠层； 步骤S6：在所述SOT层和MTJ堆叠层上沉积介质层； 步骤S7：对所述介质层进行图形化处理，用气体刻蚀介质层，所需图案被转移到介质层，刻蚀停止在所述MTJ堆叠层的上表面； 步骤S8：在所述图形化处理后的介质层上沉积电极层； 步骤S9：对所述电极层进行图形化处理，用气体刻蚀电极层，将所需图案转移到电极层后形成SOT-MRAM器件。

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