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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210087945.6，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;朱广敏设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该AlGaInP基红光发光二极管芯片包括：基板、发光结构、分布式布拉格反射镜层、钝化层、第一焊点块和第二焊点块；发光结构、分布式布拉格反射镜层和钝化层依次层叠在基板上，钝化层上具有露出分布式布拉格反射镜层的第一通孔和第二通孔，第一通孔的孔壁和第二通孔的孔壁具有凹凸结构；第一焊点块位于第一通孔内，且与第一通孔的孔壁贴合，第二焊点块位于第二通孔内，且与第二通孔的孔壁贴合。本公开实施例能改善焊点块与过孔之间产生相对松动的问题，让发光结构良好地固定在芯片内，提升芯片的可靠性。

本发明授权AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaInP基红光发光二极管芯片，其特征在于，所述AlGaInP基红光发光二极管芯片包括：基板10、发光结构20、分布式布拉格反射镜层30、钝化层40、第一焊点块51和第二焊点块52； 所述发光结构20、所述分布式布拉格反射镜层30和所述钝化层40依次层叠在所述基板10上，所述钝化层40上具有露出所述分布式布拉格反射镜层30的第一通孔41和第二通孔42，所述第一通孔41的孔壁和所述第二通孔42的孔壁具有凹凸结构43，同一通孔中，相邻两个孔壁上的所述凹凸结构43断开； 所述第一焊点块51位于所述第一通孔41内，且与所述第一通孔41的孔壁贴合，所述第二焊点块52位于所述第二通孔42内，且与所述第二通孔42的孔壁贴合； 所述第一焊点块51和所述第二焊点块52均包括依次层叠的Ti层510、第一Ni层520、复合层530、第二Ni层540和Sn合金层550，所述复合层530包括依次层叠的第一合金层531、W层532和第二合金层533，所述第一合金层531和所述第二合金层533均包括W和Ni，所述钝化层40的厚度不小于所述Ti层510、所述第一Ni层520和所述复合层530的厚度之和，所述钝化层40的厚度是8000埃至12000埃； 所述第一合金层531中，W的质量百分比为10％至30％，Ni的质量百分比为70％至90％；所述第二合金层533中，W的质量百分比为10％至30％，Ni的质量百分比为70％至90％； 所述Ti层510的厚度为800埃至1200埃，所述第一Ni层520的厚度为800埃至1200埃，所述复合层530的厚度为4000埃至6000埃，所述第二Ni层540的厚度为2500埃至3500埃，所述Sn合金层550的厚度为80000埃至100000埃；所述复合层530中，所述第一合金层531的厚度为800埃至1200埃，所述W层532的厚度为2500埃至3500埃，所述第二合金层533的厚度为800埃至1200埃。

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