深圳瑞波光电子有限公司黄义峰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳瑞波光电子有限公司申请的专利半导体激光芯片外延器件及激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114614341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210055099.X，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权半导体激光芯片外延器件及激光器是由黄义峰;胡海;汪卫敏;刘文斌设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光芯片外延器件及激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光技术领域，特别是涉及半导体激光芯片外延器件及激光器。其中所述半导体激光芯片外延器件，包括：中间层；分别位于所述中间层的相背两侧且与所述中间层堆叠排列的第一包层和第二包层；其中，所述中间层，包括量子阱层；所述第二包层，包括沿所述第一包层、所述中间层和所述第二包层的堆叠方向依次设置的第一子包层、第二子包层和第三子包层；所述第一子包层的折射率小于所述第三子包层的折射率，且均属于折射率呈连续变化或阶梯变化的所述第二子包层的折射率区间。基于此，本发明能够有效降低生长工艺带来的材料组分偏差对激光器特性的影响，并确保激光器在垂直方向上低损耗单模输出。
本发明授权半导体激光芯片外延器件及激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光芯片外延器件，其特征在于，包括： 中间层； 分别位于所述中间层的相背两侧且与所述中间层堆叠排列的第一包层和第二包层；其中， 所述中间层，包括量子阱层； 所述第二包层，包括沿所述第一包层、所述中间层和所述第二包层的堆叠方向依次设置的第一子包层、第二子包层和第三子包层； 所述半导体激光芯片外延器件还包括： 衬底层； 所述第二包层、所述中间层和所述第一包层依次堆叠设置于所述衬底层上，且所述第二包层与所述衬底层相邻设置； 所述第一子包层的折射率小于所述第三子包层的折射率，所述第二子包层的折射率呈连续变化，且所述第二子包层的最大折射率大于所述第三子包层的折射率； 当所述第二子包层的折射率呈连续变化时，所述第二子包层的折射率沿所述堆叠方向逐渐增大。
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