南京大学余林蔚获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210041211.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法是由余林蔚;程银子;刘宗光;梁逸飞;胡瑞金;王军转设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法，包括以下几个步骤：通过PECVD于垂直方向交替沉积多层SiO2和Si3N4，形成纵向密排堆叠结构，等离子体刻蚀和酸处理后形成纵向侧壁引导凹槽；或者，在衬底上通过电子束曝光及刻蚀获得横向平面内密排引导沟槽；将整个衬底样品沉积非晶硅前驱体，非晶硅前驱体的厚度大于所述引导凹槽或者大于密排引导沟槽的深度以形成更好的前驱体覆盖；通过等离子体刻蚀技术，将所述引导凹槽或密排引导沟槽的表面、侧壁上的非晶硅前驱体刻蚀掉，仅保留引导凹槽或引导沟槽内部的非晶硅前驱体。
本发明授权一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法在权利要求书中公布了：1.一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法，其特征在于：包括以下几个步骤： 第一步，基材层的形成：通过PECVD于垂直方向交替沉积多层SiO2和Si3N4，形成纵向密排堆叠的基材结构，等离子体刻蚀和酸处理后形成纵向侧壁引导凹槽； 或者，在SiO2或者Si衬底上通过电子束曝光及刻蚀获得横向平面内密排引导沟槽； 第二步，催化金属的定义：利用电子束曝光或者光刻技术在纵向侧壁引导凹槽或者密排引导沟槽的一端定义催化剂金属的条带区域，并蒸镀催化金属； 第三步，氢气等离子体处理缩球：利用氢气等离子体刻蚀方式使催化金属颗粒缩球； 第四步，非晶前驱体的淀积：将整个衬底样品沉积非晶硅前驱体，所述非晶硅前驱体的厚度大于所述引导凹槽或者大于所述密排引导沟槽的深度以形成更好的前驱体覆盖； 第五步，非晶前驱体的处理：通过等离子体刻蚀技术，刻蚀除引导凹槽或密排引导沟槽内部之外的非晶硅前驱体层； 第六步，纳米线的生长：加热处理样品，驱动金属催化剂颗粒以结晶生长出精确引导的高均一性直径的晶硅纳米线。
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