华中科技大学陈学文获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种超快电光调制装置与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114488573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210037794.3，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种超快电光调制装置与方法是由陈学文;李莞聪;张朴设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超快电光调制装置与方法在说明书摘要公布了：本发明涉及信息技术领域，公开了一种超快电光调制装置及其方法。装置包括导电体一、导电体二和导电体三，导电体一与导电体二组成天线结构；天线结构接收外部调制电信号。导电体三位于天线结构内；导电体三为微纳结构，微纳结构上存在曲率半径小于10纳米的部分；调制方法为待调制光经过天线结构增强后在导电体三处激发产生局域化的空间光场；调制电信号在导电体一、导电体二之间造成的电势差，影响微纳结构中的载流子密度分布；载流子密度分布变化改变空间光场的性质，实现对待输入光的调制。本发明适用于可见光和红外波段光的调制，具有超快调制速度，超低功耗的优点，并且结构简单，利于二次设计优化与集成制造。
本发明授权一种超快电光调制装置与方法在权利要求书中公布了：1.一种超快电光调制装置，其特征在于，包括导电体一、导电体二和导电体三，所述导电体一与导电体二组成天线结构，导电体一与导电体二之间的间隙小于100纳米； 所述导电体三位于所述间隙内，与导电体一、导电体二中的一个导通，与另一个不导通；所述导电体三为微纳结构，所述微纳结构上存在曲率半径小于10纳米的部分； 所述天线结构接收外部调制电信号。
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