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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于多级闪存晶体管的模拟内容可寻址存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210034108.7，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权一种基于多级闪存晶体管的模拟内容可寻址存储器是由赵毅;杨帆;高世凡设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多级闪存晶体管的模拟内容可寻址存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多级闪存晶体管的模拟内容可寻址存储器。每个模拟内容可寻址存储器单元存储至少两个多比特数据，可以进行多比特输入数据的范围内容查找，即查找输入数据是否处于由存储的多比特数据决定的数据范围内；每个模拟内容可寻址存储器单元包括至少两个多级闪存晶体管，多级闪存晶体管的连接方式可分为并联接法和串联接法；基于多级闪存晶体管的模拟内容可寻址存储器可由并联接法的单元组成，或由串联接法的单元组成，可同时对多个多比特数据进行范围内容查找和内容寻址。本发明采用非易失性闪存，可降低静态功耗，简化单元结构；此外，对多级闪存晶体管的创新性应用有助于推动存储技术的发展，对于存储器的性能提升具有重要意义。

本发明授权一种基于多级闪存晶体管的模拟内容可寻址存储器在权利要求书中公布了：1.一种模拟内容可寻址存储单元，其特征在于，任意一个该单元： 包括至少两个多级闪存晶体管，至少两个输入端口，至少一个输出端口； 所述多级闪存晶体管的栅极分别连接所述输入端口； 所有所述多级闪存晶体管的漏极相连后连接所述输出端口，所有所述多级闪存晶体管的源极相连后接地，这种情况称为并联接法； 或者，所述多级闪存晶体管的漏极与相邻多级闪存晶体管的源极相连，未连接的漏极连接所述输出端口中的第一类，未连接的源极连接所述输出端口中的第二类，这种情况称为串联接法； 任意一个该单元存储至少两个多比特数据，能够同时进行至少两个多比特数据和单元输入数据之间的大小比较； 当所有多比特数据和单元输入数据之间的大小比较都成立时，和当至少一个多比特数据和单元输入数据之间的大小比较不成立时，单元的输出端口表现出不同的电学特性；通过多比特数据和单元输入数据之间的比较，能够对单元输入数据进行范围内容查找，判断单元输入数据是否处于由存储的多比特数据决定的数据范围内； 每个模拟内容可寻址存储单元内存储一段范围内的数据；多级闪存晶体管存储的数据表现为多级闪存晶体管的阈值电压，决定模拟内容可寻址存储单元存储的数据范围的上限和下限； 模拟内容可寻址存储单元存储的上限数据经过一次转换，转换后的数据与上限数据的大小呈正相关，之后被存储在并联接法中存储数据范围上限的多级闪存晶体管中；或者经过一次转换，转换后的数据与上限数据的大小呈负相关，之后被存储在串联接法中存储数据范围上限的多级闪存晶体管中； 模拟内容可寻址存储单元存储的下限数据经过一次转换，转换后的数据与下限数据的大小呈负相关，之后被存储在并联接法中存储数据范围下限的多级闪存晶体管中；或者经过一次转换，转换后的数据与下限数据的大小呈正相关，之后被存储在串联接法中存储数据范围下限的多级闪存晶体管中。

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