西安电子科技大学张雅超获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利采用低温脉冲层在金刚石上外延β-Ga2O3薄膜的制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210009984.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权采用低温脉冲层在金刚石上外延β-Ga2O3薄膜的制备方法及结构是由张雅超;李一帆;张进成;马金榜;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本采用低温脉冲层在金刚石上外延β-Ga2O3薄膜的制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用低温脉冲层在金刚石上外延β‑Ga2O3薄膜的制备方法及结构，方法包括：制备衬底层1；在所述衬底层1上制备低温脉冲层2；在所述低温脉冲层2上制备薄膜层3。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底层上外延β‑Ga2O3的问题。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底上外延β‑Ga2O3的问题。本发明通过引入低温脉冲层，极大减少了氧气对衬底的刻蚀作用。同时显著提升外延层质量，降低了外延层的位错与缺陷，显著提高氧化镓外延层的热导率，对后续的氧化镓异质外延与大功率以及高频电力电子器件提供了良好的材料性能支撑。
本发明授权采用低温脉冲层在金刚石上外延β-Ga2O3薄膜的制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种采用低温脉冲层在金刚石上外延β-Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 制备衬底层1，所述衬底层1包括金刚石衬底层； 在所述衬底层1上制备低温脉冲层2，包括：利用MOCVD设备在所述金刚石衬底层上制备低温脉冲层2，在MOCVD反应室中，调整TEGa流量为20-60sccm，氧气流量为2000-2600sccm，生长温度为300-500℃，生长压力控制在35-50Torr，在所述金刚石衬底层上生长50-200次脉冲的低温脉冲层2，其中，每个脉冲周期分别先后通入Ga和O，Ga和O的通入时间比为3：1； 在所述低温脉冲层2上制备薄膜层3。
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