北京北方华创微电子装备有限公司陈洪获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺方法和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111671908.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体工艺方法和半导体工艺设备是由陈洪;肖托;钟结实;郭训容;刘建涛设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺方法和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺方法，应用于半导体工艺设备中，该半导体工艺方法包括：在当前的晶圆加工任务完成后，确定至少一个清洁模式当前的膜厚累积参数；对于任一清洁模式，当该清洁模式的膜厚累积参数达到该清洁模式对应的预设阈值时，执行该清洁模式对应的腔室清洁任务。本发明提供的半导体工艺方法能够自动在设备每完成一个晶圆加工任务时确定膜厚累积参数，并在任一清洁模式的膜厚累积参数达到对应的预设阈值时，自动控制半导体工艺设备执行该清洁模式对应的腔室清洁任务，实现自动对反应腔室进行清洁，减小膜厚记录误差，并降低用人成本、节约设备维护保养时间。本发明还提供一种半导体工艺设备。
本发明授权半导体工艺方法和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺方法，应用于半导体工艺设备中，其特征在于，所述半导体工艺方法包括： 在当前的晶圆加工任务完成后，确定至少一个清洁模式当前的膜厚累积参数，其中，所述清洁模式的数量为多个，每个所述清洁模式均具有对应的优先级； 对于任一所述清洁模式，当该清洁模式的所述膜厚累积参数达到该清洁模式对应的预设阈值时，执行该清洁模式对应的腔室清洁任务； 当多个所述清洁模式的所述膜厚累积参数同时达到各自对应的预设阈值时，按照多个所述清洁模式的优先级依次执行多个所述清洁模式对应的多个所述腔室清洁任务； 在执行所述腔室清洁任务后，将该腔室清洁任务对应的所述清洁模式的所述膜厚累积参数清零； 其中，所述确定至少一个清洁模式的膜厚累积参数，包括：将当前的所述晶圆加工任务对应的膜厚参数增加至每个所述清洁模式历史的所述膜厚累积参数，得到每个所述清洁模式当前的所述膜厚累积参数。
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