厦门乾照光电股份有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种发光外延结构及发光二极管芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111679335.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种发光外延结构及发光二极管芯片是由林志伟;崔恒平;蔡玉梅;蔡海防;陈凯轩设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光外延结构及发光二极管芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光外延结构及发光二极管芯片，其中发光二极管芯片包括有通过隧穿结过渡的第一有源层和第二有源层；或者，发光二极管芯片包括有通过绝缘层相叠加的第一有源层和第二有源层，使得发光二极管芯片包括有更多的发光区域，能够有效提高发光二极管芯片的出光亮度。同时，通过设计包括更多发光区域的发光二极管芯片，能够使得发光二极管芯片具有混色调光的性能，扩大发光二极管芯片的适用范围。
本发明授权一种发光外延结构及发光二极管芯片在权利要求书中公布了：1.一种发光外延结构，其特征在于，包括： 依次叠加的衬底、第一类型导电层、第一有源层、隧穿结、第二有源层和第二类型导电层，其中，所述隧穿结包括靠近所述第一类型导电层且与所述第一类型导电层掺杂相反的底层，及靠近所述第二类型导电层且与所述第二类型导电层掺杂相反的表层；所述底层的掺杂浓度大于所述第一类型导电层的掺杂浓度，所述表层的掺杂浓度大于所述第二类型导电层的掺杂浓度； 所述第一有源层包括多个交替的第一量子阱和第一量子垒，且所述第一有源层靠近所述第一类型导电层为所述第一量子阱，及所述第一有源层靠近所述隧穿结为所述第一量子垒，所述第一量子阱的应变为a1、所述第一量子垒的应变为a2，所述隧穿结的应变为b，所述衬底的应变为c，其中，a1＞a2≥b＞c； 所述第二有源层包括多个交替的第二量子垒和第二量子阱，且所述第二有源层靠近所述隧穿结为所述第二量子垒，及所述第二有源层靠近所述第二类型导电层为所述第二量子垒，所述第二量子阱的应变为d1、所述第二量子垒的应变为d2，其中，d1＞d2≥b＞c。
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