杭州芯迈半导体技术有限公司杨啸获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利沟槽型功率器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111648832.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽型功率器件的制造方法是由杨啸;陈辉;王加坤设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型功率器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了沟槽型功率器件的制造方法。所述制造方法包括：在半导体衬底上形成漂移区；在所述漂移区中形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽中形成栅叠层；采用第一离子注入，在所述漂移区中形成P型的阱区和掺杂区；以及采用第二离子注入，在所述阱区中形成N型的源区，其中，所述第一离子注入形成掺杂剂浓度随着深度逐渐减小的阱区，所述第二离子注入将所述阱区的上部反型以形成所述源区。该制造方法在公共的离子注入步骤中以自对准方式形成P型的阱区和掺杂区，不仅可以提高功率器件的性能，而且可以减少离子注入的工艺步骤和掩模数量，从而降低功率器件的制造成本。
本发明授权沟槽型功率器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型功率器件的制造方法，包括： 在半导体衬底上形成漂移区； 在所述漂移区中形成第一沟槽和第二沟槽； 在所述第一沟槽中形成栅叠层； 采用第一离子注入，在所述漂移区中形成P型的阱区和掺杂区；以及 采用第二离子注入，在所述阱区中形成N型的源区， 其中，所述第一离子注入形成掺杂剂浓度随着深度逐渐减小的阱区，所述第二离子注入将所述阱区的上部反型以形成所述源区， 在所述第二离子注入中，使用所述栅叠层作为硬掩模，以及使用抗蚀剂掩模遮挡所述第二沟槽，在所述阱区的上部注入掺杂剂。
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