意法半导体股份有限公司G·卡姆帕尔多获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利相变存储器及其制造、编程和读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664881B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111582592.9，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器及其制造、编程和读取方法是由G·卡姆帕尔多;M·博尔吉设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其制造、编程和读取方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及相变存储器及其制造、编程和读取方法。一种相变存储器PCM包括：半导体主体，容纳选择晶体管；电绝缘主体，被设置在半导体主体之上；导电区，延伸穿过电绝缘主体，电耦合到选择晶体管；以及所述电绝缘主体中的多个加热器元件。多个加热器元件中的每个加热器元件包括与导电区的相应部分电接触的第一端和远离导电区延伸的第二端。PCM还包括多个相变元件，多个相变元件在电绝缘主体中延伸并且包括数据存储区，其中数据存储区中的每个数据存储区在一个相应的加热器元件的第二端处被电耦合且热耦合到相应的加热器元件。
本发明授权相变存储器及其制造、编程和读取方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器PCM，包括： 半导体主体，容纳选择晶体管； 电绝缘主体，被布置在所述半导体主体之上； 导电区，延伸穿过所述电绝缘主体，电耦合到所述选择晶体管； 所述电绝缘主体中的多个加热器元件，所述多个加热器元件中的每个加热器元件包括与所述导电区的相应部分电接触的第一端、以及远离所述导电区延伸的第二端； 多个相变材料元件，在所述电绝缘主体中延伸，并且包括数据存储区，所述数据存储区中的每个数据存储区在一个相应的加热器元件的所述第二端处电耦合且热耦合到相应的所述加热器元件，其中所述多个相变材料元件中的每个相变材料元件是沿着平行于所述半导体主体的主表面的方向的连续条带，并且其中所述多个加热器元件的子集沿着所述连续条带中的每个连续条带设置在不同的位置处并且由绝缘区隔开；以及 电介质或绝缘材料的密封层，覆盖堆叠的侧壁，所述堆叠包括所述加热器元件中的一个加热器元件和与其耦合的所述数据存储区中的相应一个数据存储区，所述密封层盖住所述数据存储区中的所述相应一个数据存储区的顶部主表面，其中所述电绝缘主体的一部分覆盖所述堆叠上方的所述密封层。
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