上海微阱电子科技有限公司左青云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微阱电子科技有限公司申请的专利一种多层阻变存储器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111566706.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种多层阻变存储器的形成方法是由左青云;卢意飞设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层阻变存储器的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层阻变存储器的形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有下电极，在半导体衬底上淀积第一氧含量的氧化物，形成位于半导体衬底上的第一阻变层；在第一阻变层上淀积第二氧含量的氧化物，形成位于第一阻变层上的第二阻变层，第二氧含量大于第一氧含量；在第二阻变层上淀积第一氧含量的氧化物，形成位于第二阻变层上的第三阻变层；对第三阻变层进行氧化处理，使得第三阻变层转换为第四阻变层，在第四阻变层上形成上电极；图形化上电极、第一阻变层、第二阻变层和第四阻变层，形成存储器。该方法可以提升淀积的阻变层材料的氧化物的可控性及可控制备，有利于提升阻变存储器特性。
本发明授权一种多层阻变存储器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种多层阻变存储器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有下电极，所述下电极接触所述半导体衬底的上表面； 采用物理气相淀积在所述半导体衬底上淀积第一氧含量的氧化物，形成位于所述半导体衬底上的第一阻变层； 采用物理气相淀积或溅射淀积在所述第一阻变层上淀积第二氧含量的所述氧化物，形成位于所述第一阻变层上的第二阻变层，所述第二氧含量大于所述第一氧含量； 采用物理气相淀积在所述第二阻变层上淀积第一氧含量的所述氧化物，形成位于所述第二阻变层上的第三阻变层； 对所述第三阻变层进行氧化处理，使得所述第三阻变层转换为第四阻变层，所述第四阻变层的氧含量大于所述第二阻变层的氧含量； 在所述第四阻变层上形成上电极； 图形化上电极、第一阻变层、第二阻变层和第四阻变层，形成存储器。
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