南亚科技股份有限公司温炫博获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利基底处理装置及离子注入器的调整方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111563376.X，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权基底处理装置及离子注入器的调整方法是由温炫博;陈松辉设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基底处理装置及离子注入器的调整方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种基底处理装置及离子注入器的调整方法。该基底处理装置包含一离子注入器以及一处理器，该处理器与该离子注入器相关联。该离子注入器经配置以使用一离子束将多个离子注入到一基底中。该处理器经配置以监控该离子束的一初始注入轮廓并调整该离子注入器，以依据该初始注入轮廓以及一预期注入轮廓提供具有该预期注入轮廓的该离子束。
本发明授权基底处理装置及离子注入器的调整方法在权利要求书中公布了：1.一种基底处理装置，包括： 一离子注入器，使用一离子束将多个离子注入到一基底中；以及 一处理器，与该离子注入器相关联并经配置以监控该离子束的一初始注入轮廓，且自动调整该离子注入器以依据该初始注入轮廓以及一预期注入轮廓提供具有该预期注入轮廓的该离子束； 其中该离子注入器包括： 一离子源，由该处理器供电并用于离子化一气体； 一源操纵器，萃取在该离子源内的多个离子以形成该离子束； 一质量分析器，提供一磁场以选择用于注入的多个所述离子； 一光束操纵器，接受离开该质量分析器的该离子束，并用于通过一磁场而操纵该离子束的一形状；以及 一多极单元与上下杆，使用电力将预期的多个所述离子导向该基底； 其中该处理器通过调整施加到该离子源、该多极单元与该上下杆的一电位以及该质量分析器与该光束操纵器的该磁场至少其中之一，而调整该离子注入器以产生该离子束； 其中该处理器依据由该离子注入器的一离子束检测器、一光束分析器以及一入射角检测器所测量的多个特性而得到该初始注入轮廓。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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