屹世半导体(上海)有限公司陈春鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉屹世半导体(上海)有限公司申请的专利下拉电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114189240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111527539.9，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权下拉电路及芯片是由陈春鹏;程龙设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本下拉电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种下拉电路及芯片，其中，下拉电路包括：MOS管NM0、连接于MOS管NM0的漏极与下拉节点AOUT之间的下拉电阻R0以及连接于MOS管NM0的源极与地之间的开关单元；在断电模式下，MOS管NM0导通且开关单元能够控制MOS管NM0的源极与地之间连通，在非断电模式下且下拉节点AOUT处为负压域时，开关单元能够控制MOS管NM0的源极与地之间断开。根据本发明实施方式的下拉电路，通过开关单元能够控制MOS管NM0的源极与地之间断开和连通，以使得在非断电模式下且下拉节点AOUT处为负压域时，MOS管NM0的源极与地之间断开，有效防止在非断电模式下且下拉节点AOUT处为负压域时下拉节点AOUT下拉接地，满足应用要求。
本发明授权下拉电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种下拉电路，其特征在于，包括：MOS管NM0、连接于所述MOS管NM0的漏极与下拉节点AOUT之间的下拉电阻R0以及连接于所述MOS管NM0的源极与地之间的开关单元；在断电模式下，所述MOS管NM0导通且所述开关单元能够控制所述MOS管NM0的源极与地之间连通，在非断电模式下且所述下拉节点AOUT处为负压域时，所述开关单元能够控制所述MOS管NM0的源极与地之间断开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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