吉林大学王伟获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种光学透明的非易失性晶体管存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111502818.X，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种光学透明的非易失性晶体管存储器及其制备方法是由王伟;齐伟皓设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学透明的非易失性晶体管存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光学透明的非易失性晶体管存储器及其制备方法，属于存储器的技术领域；该存储器为顶栅结构，从下到上依次包括衬底、源‑漏电极、聚合物半导体层、铁电栅绝缘层及栅电极；其中衬底、源‑漏电极、聚合物半导体层、铁电栅绝缘层及栅电极均为光学透明的材质，聚合物半导体层、铁电栅绝缘层及栅电极均由溶液法制备得到；该存储器在暗室和光照环境下测试的电学特性展现了很好的可重复性，表明其具有良好的光学稳定性、显著的信息存储功能、良好的工作可靠性及稳定性；该存储器的整个制备工序采用全溶液法工艺制备、加工温度低于150℃，具有工艺简单、工序连续性好、可低温制备、制备设备廉价、且制备成本低，能极大地增大其商业竞争力。
本发明授权一种光学透明的非易失性晶体管存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光学透明的非易失性晶体管存储器，其特征在于，为顶栅结构，从下到上依次由衬底、源-漏电极、聚合物半导体层、铁电栅绝缘层及栅电极组成；所述衬底、源-漏电极、聚合物半导体层、铁电栅绝缘层及栅电极均为光学透明的材质，所述聚合物半导体层、铁电栅绝缘层及栅电极均由溶液法制备得到； 所述衬底为光学透明的玻璃，或者光学透明的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯或聚醚砜； 所述源-漏电极为透明的氧化铟锡薄膜； 所述铁电栅绝缘层为透明的铁电聚合物，具体为聚（偏氟乙烯-三氟化聚乙烯）、或偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物； 所述源-漏电极的厚度为40-120纳米，所述聚合物半导体层的厚度为10-150纳米，所述铁电栅绝缘层的厚度为100-1000纳米，所述栅电极的厚度为100-1000纳米； 所述栅电极为聚3,4-亚乙基二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸盐。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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