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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111500478.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率半导体器件及其制备方法是由周源;王超;胡磊;邢岳;杨棂鑫;王振达;罗胡瑞设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括：依次层叠设置的第一电极层、半导体基板以及第一层间介质层，半导体基板中设有体区，体区中设有掺杂区；第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，第一沟槽以及第三沟槽内分别设置有栅极介质层；第一金属插塞、第二金属插塞、第三金属插塞，第一金属插塞位于第一沟槽中，第二金属插塞位于第二沟槽中，第三金属插塞位于第三沟槽中；位于第一层间介质层上的第二层间介质层；间隔设置在第二层间介质层上的第二电极层以及栅极。该功率半导体器件中的沟槽利用金属填充，耐压稳定、电荷低、响应速度快，电阻低，交变信号时反应更快，可以有效降低开关时间。

本发明授权功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括： 依次层叠设置的第一电极层、半导体基板以及第一层间介质层；所述半导体基板中设有体区，所述体区中设有掺杂区，所述半导体基板和所述掺杂区为第一掺杂类型，所述体区为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反；所述体区包括第一区域、第二区域以及第三区域； 第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，所述第一沟槽位于所述第一区域且底部穿出所述体区，所述第二沟槽位于所述第二区域，所述第三沟槽位于所述第三区域且底部穿出所述体区，所述第一沟槽以及所述第三沟槽内分别设置有栅极介质层； 第一金属插塞、第二金属插塞、第三金属插塞，所述第一金属插塞位于所述第一沟槽中且顶部延伸至所述第一层间介质层，所述第二金属插塞位于所述第二沟槽中且顶部延伸至所述第一层间介质层，所述第三金属插塞位于所述第三沟槽中且顶部延伸至所述第一层间介质层； 位于所述第一层间介质层上的第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述第一金属插塞，所述第二层间介质层对应所述第二金属插塞、所述第三金属插塞的区域分别具有第一开口、第二开口； 间隔设置在所述第二层间介质层上的第二电极层以及栅极，所述第二电极层通过所述第一开口与所述第二金属插塞连接，所述栅极通过所述第二开口与所述第三金属插塞连接。

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