北京北方华创微电子装备有限公司王军帅获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备及其加热装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111503640.0，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体工艺设备及其加热装置是由王军帅;魏景峰;赵联波设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备及其加热装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体工艺设备及其加热装置，所公开的半导体工艺设备包括气源腔室和管路组件，管路组件与气源腔室连通，且位于气源腔室之外；所公开的加热装置包括壳体和加热组件，壳体用于与气源腔室围成封闭的加热腔室，管路组件设于加热腔室，加热组件设于加热腔室，且用于对加热腔室内的管路组件加热。上述方案可以解决管路组件由加热带包覆加热时，在加热带交接的地方容易出现裸露的间隙而造成管路组件内的气体冷凝而堵塞管路组件的问题。
本发明授权半导体工艺设备及其加热装置在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺设备的加热装置，用于对进入所述半导体工艺设备的工艺腔室内的反应物在进入所述工艺腔室前进行加热，其特征在于，所述半导体工艺设备包括气源腔室（100）和管路组件（200），所述气源腔室（100）用于储存所述反应物，所述管路组件（200）与所述气源腔室（100）连通，且位于所述气源腔室（100）之外； 所述加热装置包括壳体（300）和加热组件（700），所述壳体（300）用于与所述气源腔室（100）围成封闭的加热腔室，所述管路组件（200）设于所述加热腔室，所述加热组件（700）设于所述加热腔室，且用于对所述加热腔室内的所述管路组件（200）加热。
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