致真存储(北京)科技有限公司金辉获国家专利权
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龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种磁存储器及数据销毁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114547711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111412476.2，技术领域涉及：G06F21/80；该发明授权一种磁存储器及数据销毁方法是由金辉;殷加亮设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁存储器及数据销毁方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁存储器及其数据销毁方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：至少一个通过控制线相连接的销毁层，设置于每个相应销毁层之上的磁隧道结；销毁层接收销毁指令，并将所述销毁指令通过控制线传输至其他各销毁层，以使全部销毁层通过场效应改变相应磁隧道结阻态的方式，销毁磁存储器包对应的数据。至少一个销毁层中的任一销毁层实现为通过线圈连接的销毁装置，所述线圈用于接收所述销毁指令。可见，本发明的实施例提供了一种磁存储器及数据销毁方法，通过销毁装置产生的场效应，任一销毁层通过场效应更改磁隧道结阻态或对任一磁隧道结进行击穿破坏或与磁隧道结对应的连接电路进行熔断的方式，销毁磁隧道结对应的数据。
本发明授权一种磁存储器及数据销毁方法在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器，其特征在于，所述磁存储器包括：至少一个通过控制线相连接的销毁层，设置于每个相应销毁层之上或之下的磁隧道结； 至少一个所述销毁层接收销毁指令，并将所述销毁指令通过所述控制线传输至其他各销毁层，以使全部所述销毁层通过场效应使相应磁隧道结全部击穿破坏或全部熔断，销毁所述磁存储器对应的数据。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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