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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111405153.0，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法是由王炳元;王松涛;张德群;李尔林设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法，涉及半导体工艺领域。所述定位方法包括：将边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入传输装置，控制传输装置根据位置参数将晶圆传输至边缘刻蚀腔室中；对晶圆进行边缘刻蚀工艺；在晶圆的边缘区域上选取多个不同半径值的采样圆；从每个采样圆上选取多个采样点，并检测各采样点的刻蚀速率；计算每个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率；根据预设函数确定初始的机械中心点与边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量和偏移方向；将上述偏移量的补偿参数输入传输装置，获得补偿后的机械中心点。本申请能够解决晶圆在边缘刻蚀腔室中出现位置偏差而降低工艺精度、影响产品质量的问题。

本发明授权晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法，其特征在于，所述定位方法包括： 将所述边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入传输装置，控制所述传输装置根据初始的所述机械中心点的位置参数将所述晶圆传输至所述边缘刻蚀腔室中； 对所述晶圆进行边缘刻蚀工艺； 在所述晶圆的边缘区域上选取多个不同半径值的采样圆，从每个所述采样圆上分别选取多个采样点，并检测各个所述采样点的刻蚀速率； 计算出每个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率； 根据多个采样点的所述刻蚀速率以及每个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率，根据预设函数确定初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量和偏移方向；其中，根据多个采样点的所述刻蚀速率以及每个采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率，确定相邻两个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率的差值，所述预设函数为：ΔLnm=（VERnm–Meanrn）（Meanrn–Meanr（n+1））*Δr，其中：Meanrn为第n个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率，Meanr（n+1）为第n+1个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率，VERnm为第n个采样圆上第m个采样点的刻蚀速率，ΔLnm为第n个采样圆上第m个采样点相对于所述理想中心点的偏移量，Δr为相邻两个采样圆的半径差值，根据所述预设函数计算出各个所述采样点相对于所述理想中心点的偏移量，对各个采样点相对于所述理想中心点的偏移量进行数据统计，并根据统计结果确认初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量； 将初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量的补偿参数输入所述传输装置，获得补偿后的所述机械中心点。

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