中芯国际集成电路制造(上海)有限公司朱浩洲获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153932B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111397008.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由朱浩洲;蔡燕飞;王俊;郁扬;王代平;方宗勇设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：包括：衬底，衬底包括沿第一方向排布的第一区、隔离区和第二区，第一区上具有若干第一有源区，第二区上具有若干第二有源区；位于第二区上的第一栅极结构；位于第一区上的隔离结构，且隔离结构与第一栅极结构相互分立；第一导电插塞，第一导电插塞覆盖第一栅极结构的侧壁和部分顶部表面，且第一导电插塞与隔离结构不接触。由于第一栅极结构和隔离结构相互分立，能够避免第一栅极结构与隔离结构连接形成冗余电容，进而能够有效地降低动态功耗，并提高电路的速度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区、隔离区和第二区，所述隔离区位于所述第一区和所述第二区之间，所述第一区上具有若干第一有源区，所述第二区上具有若干第二有源区，若干所述第一有源区和若干所述第二有源区分别平行于第二方向，所述第一方向与所述第二方向垂直； 位于所述第二区和部分所述隔离区上的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述第二有源区； 位于所述第一区和部分所述隔离区上的隔离结构，所述隔离结构横跨所述第一有源区，所述第一栅极结构和所述隔离结构在所述第一方向上相邻排布，且所述隔离结构与所述第一栅极结构相互分立； 第一导电插塞，所述第一导电插塞覆盖所述第一栅极结构的侧壁和部分顶部表面，且所述第一导电插塞与所述隔离结构不接触。
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