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龙图腾网获悉深圳市艾德光子有限公司申请的专利批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111363920.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质是由李忠韩设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质，属于半导体加工技术领域。所述方法包括：在批量晶圆的处理之前，使用无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，在清洗后对批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻并检测工艺性能是否符合工艺规范；若不符合，对无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整，使用调整后的无晶圆清洗基线对腔室进行无晶圆清洗后，对第二个产品晶圆进行蚀刻并检测工艺性能是否符合工艺规范；若符合，根据调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆依次进行蚀刻。如此，可以预先优化无晶圆清洗强度，使得优化后的无晶圆清洗能够平衡腔室的聚合物沉积，批量晶圆处理过程中聚合物状态保持稳定，减小对蚀刻速率影响。

本发明授权批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种批量晶圆的处理方法，其特征在于，所述方法包括： 对反应室进行腔室调节，对蚀刻工艺的工艺参数进行校验； 使用无晶圆清洗流程对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对所述批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻，并检测对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范； 若对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则对所述无晶圆清洗流程的清洗强度进行调整； 使用调整后的无晶圆清洗流程对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对所述批量晶圆的第二个产品晶圆进行蚀刻，并检测对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范； 若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则根据调整后的无晶圆清洗流程对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻； 其中，所述对所述无晶圆清洗流程的清洗强度进行调整，包括： 根据晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之间的对应关系，将所述无晶圆清洗流程的清洗时长调整为对所述批量晶圆连续处理的工艺时长对应的无晶圆清洗时长；所述晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之间的对应关系是预先根据样本产品晶圆处理的不同工艺时长与对应的饱和清洗时长进行统计得到，所述饱和清洗时长是指按照相同无晶圆清洗配方进行无晶圆清洗使得所述样本产品晶圆在对应工艺时长下沉积的聚合物状态处于饱和状态的清洗时长。

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