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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种用于STT-MRAM的混合型写入结构及写入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111337304.3，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种用于STT-MRAM的混合型写入结构及写入方法是由姜岩峰;成关壹设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于STT-MRAM的混合型写入结构及写入方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于STT‑MRAM的混合型写入结构及写入方法，属于计算机存储技术领域。本发明的混合型写入结构通过两个晶体管并联，并调节晶体管的宽度来适当控制流过MTJ的电流的减小幅度，以增加STT‑MTJ的使用寿命。进一步，由于MTJ器件的寿命受电压影响较大，电压越高，寿命越短，故本发明提出的一种采用双电源的混合型写入结构，在所述STT‑MRAM的不同写入操作提供不同的写入电压，并通过在STT‑MRAM写入操作时使第一写入电压大于第二写入电压，以使得所述STT‑MRAM在写“0”操作时，流过所述STT‑MTJ的电流更小，同时实现低电压写入，能够进一步增加STT‑MTJ的使用寿命。

本发明授权一种用于STT-MRAM的混合型写入结构及写入方法在权利要求书中公布了：1.一种用于STT-MRAM的混合型写入电路，其特征在于，所述写入电路包括：STT-MTJ、第一晶体管M1和第二晶体管M2；其中，所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2并联，并与所述STT-MTJ连接； 所述写入电路在执行写入操作时，当STT-MRAM的源线SL1和SL2端接写入电压VW，位线BL端接GND时，写入电流从所述STT-MTJ的固定层流向自由层，所述STT-MRAM进行写“1”操作； 当STT-MRAM的位线BL端接写入电压VW时，所述STT-MRAM的源线SL1接GND，所述第二晶体管M2处于截止状态，写入电流从所述STT-MTJ的自由层流向固定层，所述STT-MRAM进行写“0”操作； 所述STT-MRAM进行写“0”操作时写入电流I W0由所述第一晶体管M1提供，I W0 =I M1； 所述STT-MRAM进行写“1”操作时写入电流I W1由所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2共同提供，I W1 =I M1 +I M2； 所述STT-MRAM进行写“0”操作时的写入电流I W0小于所述STT-MRAM进行写“1”操作时的写入电流I W1； 所述STT-MRAM中的STT-MTJ的TMR值为：TMR=R P（R P+R AP）；其中，当STT-MRAM进行写“0”操作时，STT-MTJ的阻值R MTJ =R P；当STT-MRAM进行写“1”操作时，STT-MTJ的阻值R MTJ =R AP；该TMR值在大于150%的情况下，所述写入电路满足I W1 I W0的要求。

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