万国半导体国际有限合伙公司李文军获国家专利权
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龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111319000.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET是由李文军;陈凌兵;管灵鹏;王健设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制造方法和一种超级结MOSFET。超级结MOSFET包括在第一导电类型的重掺杂衬底上的第一导电类型的轻掺杂外延层，在外延层中形成深沟槽。所述深沟槽具有在所述深沟槽的表面上形成的具有厚度梯度的绝缘层。靠近深沟槽侧壁的外延层的一个或多个区域掺杂第二导电类型，其中第二导电类型与第一导电类型相反。最后，在外延层中形成MOSFET器件结构。
本发明授权气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种用于制备超级结MOSFET的方法，其特征在于，包括： a在一个第一导电类型的重掺杂衬底上制备一个第一导电类型的轻掺杂外延层； b在外延层表面上，制备一个硬掩膜； c通过硬掩膜，在外延层中刻蚀多个深沟槽； d在多个深沟槽的侧壁附近，用第二导电类型的气体掺杂物掺杂外延层区域，其中第二导电类型与第一导电类型相反； e在外延层中，制备MOSFET器件结构； 其中，在步骤d之前，在多个深沟槽的每个侧壁上，制备一个绝缘层；多个深沟槽的每个侧壁上的绝缘层都有梯度厚度；多个深沟槽的每个侧壁上的绝缘层在深沟槽的底部附近，都比深沟槽顶部开口附近更薄； 其中，掺杂第二导电类型的外延层，在深沟槽附近的外延层中形成一个第二导电类型的立柱，并且其中用第二导电类型的掺杂物掺杂外延层包括使用气相掺杂；相邻的深沟槽之间的外延层中第二导电类型的立柱部分，被它们之间的外延层区域分开，并且与外延层区域保持电荷平衡。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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